华邦电子股份有限公司谢竺君获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利图案化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010618215.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权图案化的方法是由谢竺君;吴庭玮;倪志荣设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本图案化的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。
本发明授权图案化的方法在权利要求书中公布了：1.一种图案化的方法，包括： 在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层，其中所述经掺杂多晶硅层的掺杂浓度大于所述未掺杂多晶硅层的掺杂浓度； 图案化所述未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案； 以所述多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分所述核心层并形成核心图案； 进行第二刻蚀工艺，以移除所述多晶硅图案； 进行原子层沉积ALD工艺，以于所述核心图案与所述经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料； 移除部分所述间隙壁材料，以于所述核心图案的侧壁上形成间隙壁；以及 移除部分所述核心图案及其下方的所述经掺杂多晶硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华邦电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾台中市大雅区科雅一路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号