日月光半导体制造股份有限公司陈昭丞获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置和其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113496995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010447298.6,技术领域涉及:H01L23/528;该发明授权半导体装置和其制造方法是由陈昭丞;张皇贤;吕文隆;庄劭萱;陈憬儒;周泽川设计研发完成,并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和其制造方法在说明书摘要公布了:提供了一种半导体装置和其制造方法。所述方法包含提供第一衬底。所述方法还包含在所述第一衬底上形成第一金属层。所述第一金属层包含第一金属材料。所述方法进一步包含用包含第二金属材料的离子的溶液处理所述第一金属层的第一表面。另外,所述方法包含在所述第一金属层的所述第一表面的一部分上形成包含所述第二金属材料的多个金属颗粒。
本发明授权半导体装置和其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其包括: 衬底; 导电元件,所述导电元件安置所述衬底上,所述导电元件具有侧面,所述导电元件包括: 第一金属层,所述第一金属层包括第一金属材料; 多个金属颗粒,所述多个金属颗粒包括第二金属材料,所述多个金属颗粒中的至少一个金属颗粒嵌入在所述第一金属层中,所述多个金属颗粒中的至少一个金属颗粒具有从所述第一金属层的所述侧面凸出的一部分;以及 多个合金壳体,所述多个合金壳体包括所述第一金属材料和所述第二金属材料,所述多个合金壳体中的每个合金壳体覆盖对应的金属颗粒。
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