三星电子株式会社柳在冏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010226239.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装件及其制造方法是由柳在冏;李在银;高永权;李泽勳设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括半导体芯片和下重新分布结构，半导体芯片包括芯片垫，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和下重新分布图案。下重新分布绝缘层可以包括面对半导体芯片的顶表面。半导体封装件还可以包括模塑层和位于模塑层中的导电柱，模塑层位于半导体芯片的侧面上并且包括面对下重新分布结构的底表面。导电柱可以包括接触下重新分布结构的底表面。下重新分布绝缘层的顶表面离导电柱的顶表面可以比模塑层的顶表面近。模塑层的顶表面的粗糙度可以大于导电柱的顶表面的粗糙度。
本发明授权半导体封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括： 半导体芯片，包括芯片垫； 下重新分布结构，位于半导体芯片上，下重新分布结构包括下重新分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片垫的下重新分布图案，并且下重新分布绝缘层包括面对半导体芯片的顶表面； 模塑层，在半导体芯片的侧面上延伸，并且包括面对下重新分布结构的底表面和与模塑层的底表面背对的顶表面；以及 导电柱，位于模塑层中，导电柱包括接触下重新分布图案的底表面和与导电柱的底表面背对的顶表面， 其中，导电柱的顶表面与下重新分布绝缘层的顶表面间隔开第一距离，并且模塑层的顶表面与下重新分布绝缘层的顶表面间隔开大于第一距离的第二距离，并且 其中，模塑层的顶表面的粗糙度大于导电柱的顶表面的粗糙度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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