天通控股股份有限公司;天通(六安)新材料有限公司吴利强获国家专利权
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龙图腾网获悉天通控股股份有限公司;天通(六安)新材料有限公司申请的专利一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510860393.1，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心及制备方法是由吴利强;李齐余;郝亚超;汪浩;刘远设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于软磁功能材料领域，具体涉及一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心及制备方法，包括以下步骤：制备包覆剂、钝化包覆粉料、粘结润滑、压制退火。本方法基于偏硅酸的水解特性和碱性催化剂的水解促进作用，制备纳米多孔二氧化硅作为包覆剂，同时碱性物质对二氧化硅的刻蚀作用可有效提升纳米多孔二氧化硅的比表面积，提升与铁硅铝粉末的结合强度；真空煅烧处理不仅去除残余试剂，还促进偏硅酸充分热分解为二氧化硅进行原位包覆，并使其晶格结构稳定化。本发明的低损耗高叠加铁硅铝磁粉心的包覆层结合牢固、厚度薄且均匀、结构稳定而致密，可有效降低铁硅铝磁粉心的磁滞损耗，改善直流偏置性能，避免涡流损耗的升高。
本发明授权一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗高叠加铁硅铝磁粉心制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：制备包覆剂，将偏硅酸分散于无水乙醇中，边搅拌边加入碱性催化剂水溶液调节pH，继续搅拌形成溶胶后得到纳米多孔二氧化硅包覆液； S2：钝化包覆粉料，将步骤S1中所得纳米多孔二氧化硅包覆液与铁硅铝粉末混合，搅拌均匀后烘烤干燥，然后置于管式炉中真空煅烧，得到纳米多孔二氧化硅包覆的铁硅铝粉末； S3：粘结润滑，将步骤S2中所得纳米多孔二氧化硅包覆的铁硅铝粉末与复合型水溶性粘结剂混合，搅拌均匀后干燥，然后加入润滑剂混合，混合均匀后过筛，得到复合铁硅铝粉末； S4：压制退火，将步骤S3中所得复合铁硅铝粉末进行压制，然后在氮气气氛下高温退火，得到低损耗高叠加铁硅铝磁粉心。
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