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龙图腾网获悉洛阳理工学院申请的专利一种高透导电玻璃及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120349104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510850590.5，技术领域涉及：C03C17/36；该发明授权一种高透导电玻璃及其制备方法是由于仕辉;朱洋浩;杨盼;赵乐;李千慧设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高透导电玻璃及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功能玻璃技术领域，具体是一种高透导电玻璃及其制备方法。先在玻璃基底上采用光刻工艺制备连续网格光刻图形，位于网线内的玻璃基底处于裸露状态，网格内填充光刻胶；在光刻图形上依次溅射铬薄膜、银薄膜、铝薄膜，之后放入去胶液中超声清洗，则光刻胶脱落，网格内的玻璃基底处于裸露状态，网线中填充铬银铝薄膜，然后依次溅射第一Nb2O5薄膜、第一SiO2薄膜、第二Nb2O5薄膜、第二SiO2薄膜，并将上述薄膜记为多层氧化物薄膜，再放入氢氧化钠溶液中超声清洗，铝薄膜与氢氧化钠溶液反应并溶解，留下位于网格内的多层氧化物薄膜及位于网线中的铬银薄膜，且多层氧化物薄膜的厚度与铬银薄膜的厚度一致，最后溅射第三SiO2薄膜，即得到高透导电玻璃。

本发明授权一种高透导电玻璃及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透导电玻璃的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤： （1）将玻璃基底清洗干净后，在其表面棒涂一层光刻胶，采用光刻工艺获得连续网格光刻图形，位于网线内的玻璃基底处于裸露状态，网格内填充光刻胶； （2）将步骤（1）所得样品放入磁控溅射腔体中，本底真空抽至5×10-4Pa以下，通入高纯氩气，溅射靶材为高纯金属铬靶材，在室温下在光刻图形上溅射铬薄膜； （3）该步骤与步骤（2）中溅射条件相同，区别在于采用高纯金属银为溅射靶材，在铬薄膜表面溅射银薄膜； （4）该步骤与步骤（2）中溅射条件相同，区别在于采用高纯金属铝为溅射靶材，在银薄膜表面溅射铝薄膜； （5）将步骤（4）所得样品放入去胶液中，超声清洗，则光刻胶脱落，连续网格光刻图形中，网格内的玻璃基底处于裸露状态，网线中填充铬银铝薄膜； （6）利用磁控溅射在步骤（5）所得样品具有连续网格光刻图形的一侧依次溅射第一Nb2O5薄膜、第一SiO2薄膜、第二Nb2O5薄膜、第二SiO2薄膜，将第一Nb2O5薄膜、第一SiO2薄膜、第二Nb2O5薄膜及第二SiO2薄膜记为多层氧化物薄膜； （7）将步骤（6）所得样品放入氢氧化钠溶液中，超声清洗，则铝薄膜脱落，连续网格光刻图形中留下位于网格内的多层氧化物薄膜及位于网线中的铬银薄膜，且多层氧化物薄膜的厚度与铬银薄膜的厚度一致； （8）将步骤（7）所得样品放入磁控溅射腔体中，采用与步骤（6）相同的溅射条件，在样品具有多层氧化物薄膜及铬银薄膜的一侧溅射第三SiO2薄膜，即得到高透导电玻璃。

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