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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种大功率低杂散SiC MOSFET模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510838137.2，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种大功率低杂散SiC MOSFET模块是由杨鑫;刘岩超设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率低杂散SiC MOSFET模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大功率低杂散SiCMOSFET模块，所述模块包括底层陶瓷基板、顶层陶瓷基板、以及多条桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片；编号为奇数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片对称设于底层陶瓷基板上，且对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区设于底层陶瓷基板上；编号为偶数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片对称设于顶层陶瓷基板上，且对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区设于顶层陶瓷基板上。本发明利用支路间电感的相互耦合关系，降低了各个支路的寄生电感。

本发明授权一种大功率低杂散SiC MOSFET模块在权利要求书中公布了：1.一种大功率低杂散SiCMOSFET模块，其特征在于：所述模块包括底层陶瓷基板、顶层陶瓷基板、以及多条桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片；每条桥臂的第一SiCMOSFET芯片为其上桥臂的功率芯片，每条桥臂的第二SiCMOSFET芯片为其下桥臂的功率芯片； 每个第一SiCMOSFET芯片对应一组DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区、DC+接线端子、栅极接线端子和源极接线端子，所述第一SiCMOSFET芯片的漏极与对应的DC+覆铜区连接，其栅极与对应的栅极覆铜区连接，其源极与对应的源极覆铜区连接，所述DC+接线端子、栅极接线端子和源极接线端子分别设于对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区和源极覆铜区上； 每个第二SiCMOSFET芯片对应一组DC-覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区、DC-接线端子、栅极接线端子和源极接线端子，所述第二SiCMOSFET芯片的栅极与对应的栅极覆铜区连接，其源极与对应的源极覆铜区、DC-覆铜区连接，所述DC-接线端子、栅极接线端子和源极接线端子分别设于对应的DC-覆铜区、栅极覆铜区和源极覆铜区上； 对于依次编号的每条桥臂，编号为奇数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片对称设于底层陶瓷基板上，且与该第一SiCMOSFET芯片对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区以及与该第二SiCMOSFET芯片对应的栅极覆铜区、源极覆铜区设于底层陶瓷基板上；编号为偶数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片对称设于顶层陶瓷基板上，且与该第一SiCMOSFET芯片对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区以及与该第二SiCMOSFET芯片对应的栅极覆铜区、源极覆铜区设于顶层陶瓷基板上；第i+1条桥臂位于第i条桥臂与第i+2条桥臂之间； 在所述底层陶瓷基板上设有第一AC覆铜区，在所述第一AC覆铜区设有第一AC接线端子；在所述顶层陶瓷基板上设有第二AC覆铜区，在所述第二AC覆铜区设有第二AC接线端子；编号为奇数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片的源极还与第二AC覆铜区连接，编号为奇数的桥臂的第二SiCMOSFET芯片的漏极还与第一AC覆铜区连接，编号为偶数的桥臂的第一SiCMOSFET芯片的源极还与第一AC覆铜区连接，编号为偶数的桥臂的第二SiCMOSFET芯片的漏极还与第二AC覆铜区连接；与编号为奇数的桥臂的第二SiCMOSFET芯片对应的DC-覆铜区设于顶层陶瓷基板上，与编号为偶数的桥臂的第二SiCMOSFET芯片对应的DC-覆铜区设于底层陶瓷基板上； 所有的DC+覆铜区连接在一起，所有的DC-覆铜区连接在一起，所述第一AC覆铜区与所述第二AC覆铜区连接。

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