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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利芯片中电容阵列的电容测量装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120336101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510826639.3，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权芯片中电容阵列的电容测量装置和方法是由胡广艳;欧钢;孙鹏跃;楼生强;胡茜茜;袁木子;邓丁;刘建;龚碧;王文豪设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片中电容阵列的电容测量装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片中电容阵列的电容测量装置和方法，通过对传统的电容测量电路进行优化设计，采用基于纵横线互电容的差分电容测量技术，对每两个互电容之间的容差进行处理分析，来提升微小电容变化的捕捉能力。通过向相邻发射电极施加相位相反的激励，利用电流相消原理提取电容差异，有效消除电路器件工艺偏差和环境温度漂移的影响，利用差分电容测量模块将nA量级复合电流信号转换为电压，结合高通和低通滤波消除直流偏移，确保高增益下的信号稳定性；采用频域信号处理模块提取激励的幅值和相位，将模拟信号转换为数字信号，将噪声影响降至最低，以生成高熵密钥，测量结果鲁棒性和精确度高，抗干扰能力较强。

本发明授权芯片中电容阵列的电容测量装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片中电容阵列的电容测量装置，其特征在于，包括微控制器、待测芯片的电容阵列、差分电容测量模块和频域信号处理模块；电容阵列包括多个正交的发射电极和接收电极，发射电极和接收电极之间的每一个相交点对应一个电容； 通过差分电容测量模块向电容阵列的每两个相邻发射电极分别输入同步的振幅匹配且相位相反的激励信号，获取电容阵列上每两个相邻发射电极公共的接收电极上产生的复合电流信号并转为电压形式的测量信号，通过频域信号处理模块对测量信号ADC采样后进行快速傅里叶变换，从测量信号中提取电容阵列每两个电容的容差作为电容阵列的特征参数，微控制器用于控制差分电容测量模块的激励信号生成，以及根据特征参数生成电容阵列所属芯片的PUF标识符； 差分电容测量模块包括双通道DAC电路、第一低通滤波器、全差分放大器、结型场效应晶体管跨阻放大器、高通滤波器、交流放大器和第二低通滤波器； 双通道DAC电路依次通过第一低通滤波器和全差分放大器分别连接至电容阵列的各发射电极，结型场效应晶体管跨阻放大器的输入端分别连接电容阵列的各接收电极，结型场效应晶体管跨阻放大器的输出端依次通过高通滤波器、交流放大器和第二低通滤波器连接至频域信号处理模块，双通道DAC电路用于生成同步的振幅匹配且相位相反的激励信号。

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