买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东华理工大学南昌校区申请的专利基于单片机的局部放电峰值测量方法及测量电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120334696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510814597.1，技术领域涉及：G01R31/14；该发明授权基于单片机的局部放电峰值测量方法及测量电路是由章勇;陈礼坤;范大照;张雪梅设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于单片机的局部放电峰值测量方法及测量电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于单片机的局部放电峰值测量方法及测量电路，属于电力设备局部放电检测诊断领域。该方法采用第一运放单元采集局部放电信号，其反相输入端接收第二运放单元的输出信号。比较第一运放单元输出信号的电压V1与噪声电压Vref，若V1大于Vref，则导通第一运放单元和储能电容，进一步比较V1和第二运放单元输出信号的电压V2，若V1大于V2，则对储能电容充电，否则储能电容保持电压V2。当V2大于参考电压VDAC时，递增VDAC并存储，否则单稳多谐振荡单元生成激发脉冲，激发脉冲控制第二模拟开关使储能电容放电，同时输出VDAC并计算局部放电信号的峰值电压。本发明通过渐进比较实现了局部放电信号的精确峰值捕获，可适用于高压设备的监测。

本发明授权基于单片机的局部放电峰值测量方法及测量电路在权利要求书中公布了：1.一种基于单片机的局部放电峰值测量方法，其特征在于， 基于单片机的局部放电峰值测量电路包括第一运放单元、储能电容、第一二极管、第二二极管、第二运放单元、单片机、第一模拟开关、单稳态多谐振荡单元和第二模拟开关； 第一运放单元的同相输入端接入主回路； 第一二极管用于串联第一运放单元的反相输入端和输出端； 第二运放单元的同相输入端通过第二二极管、第一模拟开关连接至第一运放单元的输出端；第一运放单元的反相输入端经一限流电阻连接至第二运放单元的输出端，第二运放单元的反相输入端连接至第二运放单元的输出端； 储能电容用于接收局部放电信号并充电，储能电容一端与第二二极管的输出端连接，另一端接地；第二模拟开关与储能电容并联； 单片机包括去噪单元和峰值测量单元；去噪单元用于比较第一运放单元输出信号的电压V1与噪声电压Vref，峰值测量单元用于比较第二运放单元输出信号的电压V2与参考电压VDAC； 所述方法包括以下步骤： 步骤1：第一运放单元的同相输入端采集局部放电信号，第一运放单元响应局部放电信号并产生输出信号，第一运放单元的反相输入端接收第二运放单元的输出信号； 步骤2：比较第一运放单元输出信号的电压V1与噪声电压Vref，若V1大于Vref，第一模拟开关导通第一运放单元与储能电容，进入步骤3，否则断开第一运放单元与储能电容，返回至步骤1； 步骤3：比较第一运放单元输出信号的电压V1与第二运放单元输出信号的电压V2，V1大于V2时，进入步骤4，V1小于V2时，进入步骤7，否则第一运放单元的反相输入端与第二运放单元的输出端处于虚断状态，返回至步骤1； 步骤4：第一二极管反向截止，第二二极管正向偏置，储能电容处于充电状态，电压V2增大； 步骤5：比较V2与参考电压VDAC，若V2大于等于VDAC，VDAC递增，存储递增后的VDAC，返回至步骤1，否则进入步骤6； 步骤6：单稳态多谐振荡单元生成一激发脉冲，第二模拟开关接收到激发脉冲时将储能电容的两端接地，储能电容处于放电状态，输出VDAC并计算局部放电信号的峰值电压，返回至步骤1； 步骤7：第一二极管正向导通，第二二极管反向偏置，电压V2维持不变，返回至步骤1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东华理工大学南昌校区，其通讯地址为：330100 江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。