中国科学院长春光学精密机械与物理研究所王继厚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利多波长硅光发射芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120335085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510816278.4，技术领域涉及：G02B6/28；该发明授权多波长硅光发射芯片是由王继厚;孟浩然;高丹恒;洛猛;刘晓;张效尘设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本多波长硅光发射芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及光学元件领域，尤其涉及一种多波长硅光发射芯片，其输入波导用于输入双波段的光信号。第一多模干涉耦合器连接于输入波导，用于将来自于输入波导的双波段的光信号分配至两路传输路径。每一路传输路径包括硅光调制器和两个第二多模干涉耦合器。硅光调制器通过波导连接于两个第二多模干涉耦合器之间。硅光调制器包括反偏电极和两个高频电极，两个高频电极位于波导的相对两侧并与波导相连，反偏电极位于波导的中部。高频电极包括沿第一方向布置的多段子电极，多段子电极包括主体部、连接部和端部。连接部和端部连接于主体部沿第二方向上的一侧，连接部与端部形成T字型结构。端部向着波导的方向延伸，并连接于波导。实现了高速信号调制。
本发明授权多波长硅光发射芯片在权利要求书中公布了：1.一种多波长硅光发射芯片，其特征在于，包括： 输入波导，用于输入双波段的光信号； 第一多模干涉耦合器，连接于输入波导，用于将来自于所述输入波导的双波段的光信号分配至两路传输路径；每一路所述传输路径包括硅光调制器和两个第二多模干涉耦合器；所述硅光调制器通过波导连接于所述两个第二多模干涉耦合器之间； 所述硅光调制器包括反偏电极和两个高频电极，所述两个高频电极位于所述波导的相对两侧并与所述波导相连，所述反偏电极位于所述波导的中部；所述高频电极包括沿第一方向布置的多段子电极，所述子电极包括主体部、连接部和端部；所述连接部和所述端部连接于所述主体部沿第二方向上的一侧，所述连接部与所述端部形成T字型结构；所述端部向着所述波导的方向延伸，并连接于所述波导；所述第一方向垂直于所述第二方向。
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