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龙图腾网获悉江苏华存电子科技有限公司申请的专利一种固态硬盘运行状态监测的方法、系统、设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120336127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510816076.X，技术领域涉及：G06F11/30；该发明授权一种固态硬盘运行状态监测的方法、系统、设备和存储介质是由李庭育;陈育鸣;魏智汎;庄健民;齐元辅设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种固态硬盘运行状态监测的方法、系统、设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种固态硬盘运行状态监测的方法、系统、设备和存储介质，属于固态硬盘运行状态监测技术领域，该方法包括以下步骤：S1、监测不同固态硬盘运行时的核心指标包括健康度指标、性能指标、环境与硬件指标；为不同型号的固态硬盘建立字段映射表，将不同厂商的SMART属性统一转换为自定义指标；将主控温度、写入速度、读取错误率、环境温度结合，预测NAND不同区域温度值；将温度、电压、写入放大率结合，对固态硬盘的剩余寿命进行修正。本发明通过统一SMART属性指标，以及精准预测NAND温度，并结合多因素预测寿命，能够有效提升固态硬盘运维效率，为固态硬盘稳定运行提供安全保障。

本发明授权一种固态硬盘运行状态监测的方法、系统、设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种固态硬盘运行状态监测的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： S1、监测不同固态硬盘运行时的核心指标包括健康度指标、性能指标、环境与硬件指标； S2、为不同型号的固态硬盘建立字段映射表，将不同厂商的SMART属性统一转换为自定义指标； S3、将主控温度、写入速度、读取错误率、环境温度结合，预测NAND不同区域温度值； S31、将NAND芯片分为边缘、中心、层间区域，通过SMART数据分析擦写次数分布； S32、根据主控温度、写入速度、读取错误率、环境温度构建热力学模型，并计算NAND芯片不同区域的温度值，具体公式为： ； 其中，为计算后的NAND热点区域温度值，为环境温度，为主控与NAND间的温升，且,其中，主控温度，为反映主控到NAND的热传导效率的热阻系数，为写入导致的升温，且，其中，为写入速度，为基准功耗，为反应功耗转温升效率的热阻系数，为读取错误率导致的额外温升，且,其中，分别为读取错误率与读取错误率的阈值，为纠错温升系数； S33、对NAND芯片不同区域的温度数据进行处理，获得最终温度； S4、将温度、电压、写入放大率结合，对固态硬盘的剩余寿命进行修正； S41、计算WAF，且，其中分别为NAND写入量和主机写入量； S42、构建综合寿命修正模型，具体公式为： ； 其中，为计算后的剩余寿命，为厂商标称的写入放大率，为厂商测试环境温度，为异常断电次数和电压超出±10%标称值的事件，为温度系数、WAF系数、电压系数； S43，将剩余寿命数据输出。

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