晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司阮钢获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510782771.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由阮钢;罗钦贤;苏圣哲设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现半导体光学传感器中高K值金属氧化物介电层与氧化硅介质层结合性较差而导致器件内部容易产生空洞并严重影响器件性能。针对该情况本申请提供的半导体器件及其制造方法，在介电层上形成介质层前，执行等离子工艺并利用氧化硅前驱体轰击介电层，以使介电层表面含氧键断裂并与氧化硅前驱体的硅氧键结合，而在介电层表面形成类硅酸盐结构界面，以在类硅酸盐结构界面上形成介质层。由此，类硅酸盐结构界面为氧化硅提供的连续的成核点，使氧化硅致密沉积在类硅酸盐结构界面上，使介电层与介质层通过类硅酸盐结构界面致密结合，避免了介质层内层级分离导致的内部孔洞。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供一衬底，其中，所述衬底包括多个像素单元以及隔离所述像素单元的隔离沟槽； 在所述衬底上形成介电层，其中，所述介电层的沉积材料包括介电常数高于氧化硅的含氧透光化合物或其组合； 执行等离子工艺并向所述衬底释放氧化硅前驱体，以使所述介电层表面含氧键断裂并与所述氧化硅前驱体的硅氧键结合，而在所述介电层表面形成类硅酸盐结构界面； 在所述介电层上沉积氧化硅以填充所述隔离沟槽，而在所述类硅酸盐结构界面上形成介质层。
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