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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510775235.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法是由黄振;钟冠伦;方其超;王月;王程功;郑鹏远;张宇设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，包括如下步骤：S1，外延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延；S2，硅基衬底图形化：介质层与金属结构制备；S3,金刚石欧姆接触层集成：p型导电金刚石膜层加工、金属反射与键合；S4,衬底去除与n型结构形成：衬底剥离与n型接触；S5,后段工艺集成：电极与光学结构制备；本申请的芯片散热性能显著提升；串联电阻降低30%‑50%；pn型金刚石欧姆接触层电阻率较ITO降低1‑2个数量级；避免了GaAs材料吸光与金属遮光，结合微透镜阵列，红光透过率从75%提升至90%以上；兼容现有MOCVD、CVD及光刻工艺，可实现2‑12寸晶圆规模化生产，降低制造成本。

本发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热性能的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1,外延结构制备： 衬底与缓冲层处理：选用n型GaAs衬底，清洗后通过MOCVD外延生长n型GaAs缓冲层，控制掺杂浓度、厚度及温度； 刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长：在缓冲层上外延生长n型刻蚀阻挡层，随后通过MOCVD生长n型GaNInGaN欧姆接触层； 功能层堆叠外延：在欧姆接触层上依次外延生长n型AlInP限制层、n型超晶格结构、非掺杂间隔层、量子阱结构、p型间隔层、p型限制层、p型超晶格、p型渐变层及p型重掺杂层，精确控制各层参数； S2，硅基衬底图形化： 介质层与金属结构制备：清洗硅晶圆硅基CMOS，通过PECVD沉积介质层，光刻形成Cr金属掩膜，刻蚀后溅射种子层并电镀Cu金属，经CMP抛光，对介质层和Cu金属的高度差以及介质层的均方根粗糙度进行测量以确保在要求范围内； S3,金刚石欧姆接触层集成： p型导电金刚石膜层加工：清洗外延片后，通过CVDPVD生长p型导电金刚石膜层，光刻刻蚀形成mesa结构，刻透量子阱结构，ALE修复侧壁损伤并沉积钝化层； 金属反射与键合：刻蚀钝化层开孔至p型导电金刚石膜层，沉积金属反射层，PECVD制备保护层，背面沉积膜层调控翘曲；将硅基衬底与外延结构混合键合； S4，衬底去除与n型结构形成： 衬底剥离与n型接触：刻蚀去除背镀膜层，湿法腐蚀去除GaAs衬底及缓冲层，暴露n型GaNInGaN层，通过CVDPVD生长n型导电金刚石膜层并刻蚀成型； S5，后段工艺集成： 电极与光学结构制备：沉积金属电极，通过光刻、刻蚀形成微透镜阵列或超表面结构，提升光提取效率。

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