杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510765189.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层以及P阱层，单个所述MOS元胞的上表面且位于栅极的下方开设有沟槽，该沟槽的内部沉积有N+层，所述N+层包括左N+层和右N+层。本发明通过沟槽内分体式左N+层与右N+层的设计，结合中间填充的居中N‑层或居中P‑层，有效分散沟槽底部的电场集中现象，并且配合阻隔离子泡的直角三角形排列，进一步抑制了N漂移层边缘的电场峰值，显著提高器件的击穿电压和可靠性，适用于高压应用场景。
本发明授权一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于异质结的碳化硅沟槽型MOSFET器件结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极（1）、源极（2）、栅极（3）以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层（7）、N漂移层（8）、P+层（4）、N阱层（5）以及P阱层（6），其特征在于：单个所述MOS元胞的上表面且位于栅极（3）的下方开设有沟槽，该沟槽的内部沉积有N+层（9），所述N+层（9）包括左N+层（91）和右N+层（92），所述左N+层（91）和右N+层（92）之间通过离子注入形成有填充介质； 单个所述MOS元胞内部N衬底层（7）的截面轮廓呈两侧高凸中间低凹的形状，单个所述MOS元胞中且位于N衬底层（7）的两侧均设有接触层，该接触层与漏极（1）欧姆接触； 所述填充介质为居中P-层（14），所述接触层为N型接触层（13）。
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