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上海第二工业大学钟金鑫获国家专利权

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龙图腾网获悉上海第二工业大学申请的专利二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120248521B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510755439.3,技术领域涉及:C08L27/16;该发明授权二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法是由钟金鑫;王焯玉;王元元;王骏;董岚;张斌设计研发完成,并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法;该复合热界面材料由具有特定空间取向的二元填料(金属填料与电绝缘填料)和有机高分子材料基体组成,其中:所述金属填料与电绝缘填料通过改变在基底中呈现特定的空间取向(或呈现特定的空间取向角范围),从而使得填料能在基体中发生热逾渗且不发生电逾渗现象,进而获得具有高导热且电绝缘特性的复合热界面材料。本发明获得的热界面材料具有卓越的延展性,适用于各种热界面应用。其超强的导热性和电绝缘特性允许它高效地传递多余的热量,而不会导致器件的电性能问题,如短路或击穿,从而显著提升器件性能和寿命。

本发明授权二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法在权利要求书中公布了:1.一种二元填料非一致性取向结构的绝缘热界面材料的设计方法,其特征在于,该绝缘热界面材料由具有特定空间取向的二元填料和有机高分子材料基体组成,二元填料包括金属填料和电绝缘填料;具体步骤如下: 步骤一、将有机高分子基底无量纲化为1*1*1的立方体,将一定体积分数的二元填料随机分散在有机高分子材料基体中,利用数值模拟手段实现复合热界面材料体系的模拟; 步骤二、设定热传导方向为x向,设定金属填料空间取向角和y方向、电绝缘填料空间取向角和热传导方向之间呈现的角度,施加边界条件判断,即将沿着热传导方向超出区域的填料进行截断处理,沿着垂直热传导方向超出区域的填料进行截断并周期平移到立方体内; 步骤三、在热传导方向上设计复合热界面材料的电输运通道和热输运通道,调控内部金属填料与电绝缘填料的材料、长径比、空间取向角和填料填充到有机高分子基底中的体积分数的设计参数中的一种或多种,通过数值模拟计算,当复合热界面材料的热导率的范围在5~8Wm-1K-1,电导率的范围为1×10-5~1×10-3Sm-1时,即完成通过二元填料非一致性取向结构实现高导热且电绝缘的绝缘热界面材料的设计;其中: 步骤一中,电绝缘填料的形状为棒状,电绝缘填料的长度设计范围为0.05~1000微米,其直径设计范围为0.001~200微米; 步骤二中,电绝缘填料空间取向角与热传导方向呈现的角度为0度~60度;金属填料空间取向角与垂直热传导方向呈现的夹角为0度~60度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海第二工业大学,其通讯地址为:201209 上海市浦东新区金海路2360号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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