晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司蔡承佑获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种MIM电容及其制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510740926.2，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种MIM电容及其制作方法和半导体器件是由蔡承佑;宋伟政;丁美平;陆莹莹;马华星设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MIM电容及其制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MIM电容及其制作方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，其中制作方法包括：提供基底，并在基底上依次形成第一电极层、第一绝缘层、第二电极层和第二绝缘层，以具有第一电极图形的掩膜层为掩膜，对第一电极层、第一绝缘层、第二电极层和第二绝缘层进行刻蚀，以使第一电极层形成第一电极，对第二绝缘层进行回蚀，以去除第二绝缘层的边缘部分，使第二绝缘层暴露出第二电极层的边缘部分，以回刻后的第二绝缘层为掩膜，对第二电极层进行刻蚀，以去除第二电极层的边缘部分，使第二电极层形成第二电极，从而仅需要使用一张光罩来形成具有第一电极图形的掩膜层，进而可以降低MIM电容的制作成本，提高MIM电容的制作效率。
本发明授权一种MIM电容及其制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，并在所述基底上依次形成第一电极层、第一绝缘层、第二电极层和第二绝缘层； 以具有第一电极图形的掩膜层为掩膜，对所述第一电极层、所述第一绝缘层、所述第二电极层和所述第二绝缘层进行刻蚀，以使所述第一电极层形成第一电极，并使所述第一绝缘层、所述第二电极层和所述第二绝缘层的图形与所述第一电极的图形相同； 对所述第二绝缘层进行回刻，以去除所述第二绝缘层的边缘部分，使所述第二绝缘层暴露出所述第二电极层的边缘部分； 以回刻后的第二绝缘层为掩膜，对所述第二电极层进行刻蚀，以去除所述第二电极层的边缘部分，使第二电极层形成第二电极。
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