无锡博达新能科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡博达新能科技有限公司申请的专利中间连接层结构及其制备方法、叠层太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120265012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510741132.8，技术领域涉及：H10K39/18；该发明授权中间连接层结构及其制备方法、叠层太阳能电池是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本中间连接层结构及其制备方法、叠层太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种中间连接层结构及其制备方法、叠层太阳能电池。中间连接层结构包括：隧穿结，包括依次层叠设置的p型重掺杂硅层和p型轻掺杂硅层，p型轻掺杂硅层的表面具有羟基；以及自组装单分子层，由自组装单分子层材料与p型轻掺杂硅层表面的羟基反应形成，自组装单分子层设置于p型轻掺杂硅层的表面。本申请提供的中间连接层结构，自组装单分子材料与隧穿结中p型轻掺杂硅层表面的羟基反应形成自组装单分子层，从而在p型轻掺杂硅层的表面固定负电荷，产生了场钝化效应，从而降低了表面的载流子复合，减少了载流子的损失，并抑制了因薄膜不致密而造成的漏电现象，进而提高了叠层太阳能电池的器件性能。
本发明授权中间连接层结构及其制备方法、叠层太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种中间连接层结构，其特征在于，包括： 隧穿结，包括依次层叠设置的p型重掺杂硅层和p型轻掺杂硅层，所述p型轻掺杂硅层的表面具有羟基；以及 自组装单分子层，由自组装单分子层材料与所述p型轻掺杂硅层表面的羟基反应形成，所述自组装单分子层设置于所述p型轻掺杂硅层的表面； 所述自组装单分子层材料选自含氧有机酸和含氧无机酸中的至少一种； 或者，所述自组装单分子层材料具有第一端基，所述第一端基与所述p型轻掺杂硅层表面的羟基反应形成所述自组装单分子层，所述第一端基包括三硅醇基、磷酸基、乙酸基、硼酸基、磺酸基、羧酸基、邻苯二酚、苯酚、巯基和巯乙酰基中的至少一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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