湖南工商大学田乾磊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南工商大学申请的专利一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510720083.X，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器及其制备方法是由田乾磊;岳龙;周源;余方煜;陈贝宁;谭嘉俊;苏丹设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将硅片经预处理后，获得硅基底；其中，所述硅片包括下层的单晶硅和上层的氧化硅；在所述硅基底的氧化硅上真空热蒸发沉积镁金属层，镁金属层的上表面经紫外臭氧氧化，制备褶皱微纳米结构；将机械剥离得到的硫化钼经干法转移贴合至所述镁金属层的上表面的褶皱微纳米结构上，并经电子束蒸发镀膜系统在所述硫化钼表面沉积源电极和漏电极。本发明提供的一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器具有制备工艺简单、响应速率快、可靠性好、稳定性高等优点。
本发明授权一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于微纳褶皱衬底的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将硅片经预处理后，获得硅基底；其中，所述硅片包括下层的单晶硅和上层的氧化硅； S2、在所述硅基底的氧化硅上真空热蒸发沉积镁金属层，镁金属层的上表面经紫外臭氧氧化，制备褶皱微纳米结构； S3、将机械剥离得到的硫化钼经干法转移贴合至所述镁金属层的上表面的褶皱微纳米结构上，并经电子束蒸发镀膜系统在所述硫化钼表面沉积源电极和漏电极。
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