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龙图腾网获悉阜时科技有限公司申请的专利一种光电传感器、光电检测装置和电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223246973U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521102091.X，技术领域涉及：H10F39/00；该实用新型一种光电传感器、光电检测装置和电子设备是由吕晨晋;高关且;刘德胜设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电传感器、光电检测装置和电子设备在说明书摘要公布了：本新型提供光电传感器、光电检测装置和电子设备。光电传感器包括沿竖直方向具有相对的第一表面及第二表面的二极管基材、设置在二极管基材内的多个雪崩像素单元及用于隔离雪崩像素单元的隔离结构。隔离结构包括深槽隔离层及浅槽绝缘层。雪崩像素单元包括中心电极、边缘电极、中心掺杂结构及边缘掺杂结构。中心掺杂结构中与边缘掺杂结构掺杂类型不同的部分沿竖直向形成雪崩区。中心掺杂结构与边缘掺杂结构沿水平方向形成保护环，边缘掺杂结构靠近浅槽绝缘层设置且通过浅槽绝缘层与深槽隔离层电性隔离。

本实用新型一种光电传感器、光电检测装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电传感器，其特征在于，包括： 二极管基材，其中，所述二极管基材沿竖直方向具有相对的第一表面以及第二表面； 设置在所述二极管基材内的多个雪崩像素单元以及用于隔离所述雪崩像素单元的隔离结构； 所述隔离结构包括深槽隔离层以及浅槽绝缘层，其中，所述浅槽绝缘层沿竖直方向形成在所述深槽隔离层上而靠近所述第二表面，所述浅槽绝缘层到所述第二表面的距离大于电极形成深度，所述浅槽绝缘层在水平方向的尺寸不大于所述深槽隔离层在水平方向的尺寸； 所述雪崩像素单元包括中心电极、边缘电极、中心掺杂结构以及边缘掺杂结构；其中，所述中心电极以及所述边缘电极设置在所述第二表面，所述中心掺杂结构与所述边缘掺杂结构沿竖直方向从所述第二表面向所述二极管基材内部延伸且沿水平方向在所述二极管基材内分离，所述中心掺杂结构与所述中心电极电性连接，所述边缘电极沿着隔离结构的延伸方向设置在边缘掺杂结构上； 所述中心掺杂结构中与所述边缘掺杂结构掺杂类型不同的部分沿竖直方向形成雪崩区，所述中心掺杂结构与所述边缘掺杂结构之间沿水平方向形成保护环；所述边缘掺杂结构靠近所述浅槽绝缘层设置且通过所述浅槽绝缘层与所述深槽隔离层电性隔离。

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