晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120221407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510705018.X,技术领域涉及:H01L21/308;该发明授权一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法是由陈兴设计研发完成,并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法,涉及半导体技术领域,该制作方法包括:提供衬底,在衬底上形成第一掩膜层,并以光罩为掩膜对第一掩膜层进行刻蚀,使第一掩膜层覆盖第一沟槽区的衬底,在衬底上形成第二掩膜层,并对第二掩膜层进行刻蚀,使第二掩膜层暴露出第一掩膜层以及第二沟槽区的衬底,以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成较浅的第二沟槽,对第一掩膜层进行刻蚀,使第二掩膜层暴露出第二沟槽区和第一沟槽区的衬底,以第二掩膜层为掩膜对第一沟槽区和第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成较深的第二沟槽和较浅的第一沟槽,从而可以采用一张光罩制作浅沟槽和深沟槽,进而可以降低制作成本。
本发明授权一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种沟槽的制作方法,其特征在于,包括: 提供衬底,所述衬底包括间隔设置的第一沟槽区和第二沟槽区; 在所述衬底上形成第一掩膜层,并以预设光罩为掩膜,对所述第一掩膜层进行刻蚀,使所述第一掩膜层仅覆盖所述第一沟槽区的衬底; 在所述衬底上形成第二掩膜层,并对所述第二掩膜层进行各向异性刻蚀,使所述第二掩膜层暴露出所述第一掩膜层以及所述第二沟槽区的衬底,且保留所述第一沟槽区与所述第二沟槽区之间的所述衬底上的所述第二掩膜层; 以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜,对所述第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成第一深度的第二沟槽; 对所述第一掩膜层进行刻蚀,使所述第二掩膜层暴露出所述第二沟槽区的衬底和第一沟槽区的衬底; 以所述第二掩膜层为掩膜,对所述第一沟槽区的衬底和所述第二沟槽区的衬底进行刻蚀,形成第二深度的第二沟槽和第三深度的第一沟槽;所述第二深度大于所述第一深度和所述第三深度。
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