晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司陈兴获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510704987.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由陈兴设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底，对该衬底进行掺杂形成沟道掺杂区，并在该沟道掺杂区上形成栅极结构以及围绕该栅极结构的偏移侧墙，去除该沟道掺杂区内未被该栅极结构和该偏移侧墙覆盖的衬底以及位于该偏移侧墙底部的衬底，在去除衬底的区域形成半导体层，因为该半导体层未掺杂或者该半导体层的掺杂浓度小于该沟道掺杂区的掺杂浓度，所以，可以减小半导体器件如MOS晶体管的栅诱导漏极泄漏电流，提高半导体器件如MOS晶体管的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 对所述衬底进行掺杂形成沟道掺杂区，并在所述沟道掺杂区上形成栅极结构以及围绕所述栅极结构的偏移侧墙； 去除所述沟道掺杂区内未被所述栅极结构和所述偏移侧墙覆盖的衬底以及位于所述偏移侧墙底部的衬底形成凹槽；所述凹槽的内侧壁与所述栅极结构的外侧壁平齐； 在所述凹槽内形成半导体层，所述半导体层的材料与所述衬底的材料相同，所述半导体层未掺杂或者所述半导体层的掺杂浓度小于所述沟道掺杂区的掺杂浓度，以减小栅漏交叠区界面附近区域的衬底的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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