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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120234850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510702967.2，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法是由司伟;韩国栋;安磊;李艺菲设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法，属于阵列天线降耦表面设计领域。该方法首先，通过特征模分析找到主要的对消模式；然后，结合特征模理论，改变降耦表面的位置和贴片对主要对消模式的幅度、相位进行调控实现降耦要求，得到符合降耦要求的降耦表面。相对于目前基于S参数的降耦表面设计方法，本方法（1）结合特征模理论进行设计，使设计方向更加明确，从而降低了优化次数和对经验的依赖,提升了设计效率；（2）通过分析耦合场和对消场的特征模式，找到了主要的对消模式，从而提升了设计精确度，提高了设计的降耦表面的降耦效果。除此之外，因为特征模理论的广泛适用性，该方法适用于各种阵列天线的降耦表面研发。

本发明授权一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于特征模分析的阵列天线降耦表面设计方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 步骤1，初步设计阵列天线降耦表面；阵列天线降耦表面的贴片采用多个矩形贴片组合的形式，矩形贴片的排布方向和天线的极化方向一致； 步骤2，用电磁仿真软件FEKO对阵列单元间的耦合场进行特征模分析，得到耦合场各个模式的幅度、相位；对对消场进行特征模分析，得到对消场各个模式的幅度、相位； 耦合场模式的分量设为，对消场模式的分量设为；通过 ； 计算各个模式的对消程度，找到主要的对消模式；其中，、，表示特征模式，表示场的、、分量，和分别表示耦合场模式的分量的幅度和相位，和分别表示对消场模式的分量的幅度和相位，表示对消场模式的分量对耦合场模式的分量造成的对消程度； 步骤3，改变阵列天线降耦表面位置，分析改变位置后对消程度的变化；若对消程度增大，继续进行相同方向的位置调整，反之进行相反方向的位置调整，直至得到满足降耦要求的天线降耦表面位置； 步骤4，电磁仿真软件FEKO仿真得到主要对消模式的特征值，并根据特征值判断主要对消模式存储的是净电能还是净磁能；然后，通过对阵列天线降耦表面的贴片进行修型，改变主要对消模式存储净电能净磁能的能力，进而改变其特征值，降低主要对消模式的； 步骤5，重复步骤2到步骤4直至符合降耦要求。

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