国科大杭州高等研究院林虹宇获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120195787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510682073.1，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构和制备方法是由林虹宇;杨万丽;张天宁;朱家旗;单玉凤;俞国林;戴宁设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构和制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构和制备方法，所属中波红外光电探测器技术领域，包括：在使用中波红外光电探测器时，入射光从顶部共振层的上方向下照射，底部共振层、介质块和顶部共振层构成阵列排布的微结构能够激发等离激元模式，经过顶部共振层与底部共振层的共同作用，在光敏层表面附近引发表面等离激元共振效应，介质块嵌入底部共振层内，以将入射光局域在光敏面中较浅的深度内，增强局域电场强度，减轻光敏面的反射现象，提高探测器对光的吸收率，进而提高中波红外光电探测器的量子效率。
本发明授权一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外光电探测器的等离子共振增强微结构，其特征在于，所述红外光电探测器的等离子共振增强微结构包括： 底部共振层，所述底部共振层设置在红外光电探测器的光敏面上； 介质块组，所述介质块组包括若干个介质块，所述介质块的第一端嵌入所述底部共振层内，所述介质块以周期性阵列的形式排布在所述底部共振层上； 顶部共振层，所述顶部共振层设置在所述介质块的第二端的端面上； 定位孔组，所述定位孔组包括若干个定位孔，所述定位孔沿所述底部共振层的厚度方向贯穿所述底部共振层，所述定位孔以周期性阵列的形式排布在所述底部共振层上，所述介质块的第一端嵌入所述定位孔内； 其中，所述介质块与所述定位孔一一对应。
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