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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510668336.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、第一外延层、第二外延层、P阱区、N掺杂区和P掺杂区、栅氧层、多晶硅层、阻挡层、欧姆接触层、第一金属层和第二金属层。第二外延层上设置有第一级宽沟槽，栅氧层的侧壁、多晶硅层的侧壁以及第一级宽沟槽的侧壁相平齐，阻挡层延伸至第一级宽沟槽的底壁，并同时覆盖多晶硅层的侧壁、栅氧层的侧壁以及第一级宽沟槽的侧壁。一方面防止了高温下液态Al渗透到栅极，避免了短路失效和浪涌失效。另一方面避免了液态Al渗透到沟道区域，从而避免了出现漏电流增大、击穿电压降低、阈值电压Vth漂移、导通电阻增加等问题，提高了器件雪崩、热学等可靠性及鲁棒性。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底表面的第一外延层； 位于所述第一外延层表面的第二外延层，所述第二外延层形成有第一级宽沟槽； 位于所述第二外延层远离所述衬底一侧表层的P阱区、N掺杂区和P掺杂区，所述N掺杂区的两侧分别与所述P阱区和所述P掺杂区接触，所述N掺杂区与所述第一级宽沟槽的侧壁和底壁接触，所述P掺杂区与所述第一级宽沟槽的底壁接触； 位于所述第二外延层远离所述衬底一侧并与所述N掺杂区接触的栅氧层； 位于所述栅氧层远离所述衬底一侧的多晶硅层； 位于所述多晶硅层表面的阻挡层； 位于所述P掺杂区和所述N掺杂区表面的欧姆接触层； 位于所述阻挡层和所述欧姆接触层表面的第一金属层； 位于所述衬底远离所述第一外延层一侧表面的第二金属层； 其中，所述栅氧层的侧壁、所述多晶硅层的侧壁以及所述第一级宽沟槽的侧壁相平齐，所述阻挡层延伸至所述第一级宽沟槽的底壁，并同时覆盖所述多晶硅层的侧壁、所述栅氧层的侧壁以及所述第一级宽沟槽的侧壁。

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