湖北星辰技术有限公司杨道虹获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510669818.0，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由杨道虹;王逸群;胡陈诚;胡文超;刘淑娟设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：基板，基板包括衬底以及位于衬底内的绝缘结构；多个沟槽结构，分立设置于基板内；其中，绝缘结构包括至少一个第一子部，第一子部位于相邻的两个沟槽结构之间，且在相邻的两个沟槽结构的排布方向上，第一子部的延伸长度与相邻的两个沟槽结构之间的距离相等；电容结构，包括层叠设置的多个电极层以及至少位于相邻两个电极层之间的第一介质层，电容结构至少覆盖多个沟槽结构的内壁。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板包括衬底以及位于所述衬底内的绝缘结构； 多个沟槽结构，分立设置于所述基板内；其中，所述绝缘结构包括至少一个第一子部，所述第一子部位于相邻的两个所述沟槽结构之间，且在相邻的两个所述沟槽结构的排布方向上，所述第一子部的延伸长度与相邻的两个所述沟槽结构之间的距离相等； 将多个所述沟槽结构和位于相邻的两个所述沟槽结构之间的第一子部定义为目标结构；所述绝缘结构还包括与所述第一子部连接的第二子部，所述第二子部围绕所述目标结构的侧壁且部分位于所述目标结构的下方，多个所述沟槽结构位于所述绝缘结构限定的空间内； 电容结构，包括层叠设置的多个电极层以及至少位于相邻两个所述电极层之间的第一介质层，所述电容结构至少覆盖多个所述沟槽结构的内壁。
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