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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利功率半导体芯片回流焊方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120184025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510654508.1，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权功率半导体芯片回流焊方法及系统是由杨鑫;韦怡雷设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体芯片回流焊方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种功率半导体芯片回流焊方法及系统。功率半导体芯片回流焊方法包括：将待焊接的功率半导体芯片放置于回流炉中，且令待焊接的功率半导体芯片与焊料贴合；执行加热操作；执行抽气操作；执行冷却操作；将功率半导体模块取出。执行第i次抽气后达到气压值Pi；两次抽气操作间隔时间取值范围为[3s，10s]；2≤N≤4；P1取值范围为[40000Pa，65000Pa]；PN取值范围为[50Pa，45000Pa]；P1＞P2＞……＞PN；第1次、第2次、……、第N‑1次抽气操作使得回流炉内气压下降幅值取值范围均为[1000Pa，60000Pa]。

本发明授权功率半导体芯片回流焊方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体芯片回流焊方法，包括如下步骤： 步骤S1：将待焊接的功率半导体芯片放置于回流炉中，且令待焊接的功率半导体芯片与陶瓷覆铜基板上的焊料贴合； 步骤S2：执行加热操作，使回流炉内温度达到焊接温度； 步骤S3：执行抽气操作，且使回流炉内温度保持为焊接温度，从而实现功率半导体芯片的焊接，得到功率半导体模块； 步骤S4：执行冷却操作； 步骤S5：将功率半导体模块取出； 其特征在于：步骤S3中执行抽气操作的具体操作为： 执行N次抽气操作；执行第i次抽气操作后，使得回流炉内气压达到气压值Pi；且在执行两次抽气操作之间的间隔时间△T的取值范围为[3s，10s]； 1≤i≤N；N的取值范围为[2，4]；P1＞P2＞……＞PN；P1的取值范围为[40000Pa，65000Pa]；PN的取值范围为[50Pa，45000Pa]；从执行第1次抽气操作到执行第N-1次抽气操作，执行每次抽气操作使得回流炉内气压下降幅值的取值范围均为[1000Pa，60000Pa]； 步骤S3中，根据芯片焊料层的目标空洞率，确定N的取值、执行每次抽气操作后回流炉内气压达到的气压值、△T的取值；所述芯片焊料层形成于功率半导体芯片与陶瓷覆铜基板之间。

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