晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司李燕获国家专利权
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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510638096.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李燕;宋富冉;苏烁洋;周儒领设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底包括被所述浅沟槽隔离结构定义出的第一区域；刻蚀所述衬底，形成位于所述第一区域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面与相邻浅沟槽隔离结构互相面对的侧壁形成目标区域；所述目标区域内具有在刻蚀衬底过程中形成的衬底刻蚀残留部；将所述衬底刻蚀残留部的材质进行转化，以在所述目标区域制作得到第一栅氧化层。通过转化衬底刻蚀残留部的材质，能够减少在制作形成第一栅氧化层之后目标区域的衬底材料残留，提升第一栅氧化层的可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括衬底和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底包括被所述浅沟槽隔离结构定义出的第一区域；所述衬底上还形成有定义所述第一区域的图案化掩膜层； 刻蚀所述衬底，形成位于所述第一区域的凹槽；其中，所述凹槽的底部所在平面与相邻浅沟槽隔离结构互相面对的侧壁形成目标区域；所述目标区域内具有在刻蚀衬底过程中形成的衬底刻蚀残留部； 将所述衬底刻蚀残留部的材质进行转化，以在所述目标区域制作得到第一栅氧化层，包括：将所述衬底刻蚀残留部的材质转化为与所述图案化掩膜层相同的材质；去除所述图案化掩膜层；其中，所述目标区域中的衬底刻蚀残留部一并被去除；在所述目标区域形成第一栅氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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