芯方舟(上海)集成电路有限公司段帅君获国家专利权
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龙图腾网获悉芯方舟(上海)集成电路有限公司申请的专利芯片设计方法及芯片系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120144534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510629574.3，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权芯片设计方法及芯片系统是由段帅君设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片设计方法及芯片系统在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种芯片设计方法及芯片系统。其中芯片设计方法包括：将本地DRAM控制器、全局DRAM控制器、共享DRAM控制器集成于一个处理器核心上，将若干处理器核心集成于逻辑芯片上。将DRAM芯片垂直堆叠在逻辑芯片上，将各全局DRAM控制器均与共享DRAM存储空间连接，将共享DRAM控制器分别与各自对应的私有DRAM存储空间连接。本发明通过全局DRAM控制器直接连接到共享DRAM存储空间，减少了中间环节，缩短了数据路径，提升了数据交换速度，通过共享DRAM控制器直接连接各处理器核心的私有DRAM存储空间，实现了处理器核心之间的内存共享数据交互。
本发明授权芯片设计方法及芯片系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片设计方法，其特征在于，所述芯片设计方法包括： 将一个本地DRAM控制器、以及与所述本地DRAM控制器分别连接的一个全局DRAM控制器、一个共享DRAM控制器集成于一个处理器核心上，将若干所述处理器核心集成于逻辑芯片上，在所述逻辑芯片中，将各所述本地DRAM控制器之间进行连接； 将具有共享DRAM存储空间和若干私有DRAM存储空间的DRAM芯片通过三维堆叠存储技术垂直堆叠在所述逻辑芯片上，将各所述全局DRAM控制器均与所述共享DRAM存储空间连接，将各所述共享DRAM控制器分别与各自对应的所述私有DRAM存储空间连接； 各所述本地DRAM控制器之间通过NoC结构实现连接，以使得每个所述处理器核心的所述本地DRAM控制器负责管理其局部内存访问请求，并通过NoC与其他处理器核心的本地控制器协同工作； 在所述逻辑芯片上还集成有逻辑层，各所述本地DRAM控制器通过独立的总线与所述逻辑层连接，以形成多条并行数据传输通道，允许同时进行多个数据传输。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯方舟(上海)集成电路有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区盛夏路169号A栋902室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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