合肥晶合集成电路股份有限公司宋富冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631459.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先在第一半导体结构的层间介质层上制备第一金属间电介质层；在第一金属间电介质层内制备第一金属线路和第一电极板；继续制备第一阻挡层；采用蚀刻工艺打开第一电极板一侧区域的第一金属间电介质形成第一凹槽；依次沉积阻变材料和导电金属材料；平坦化并停留在第一阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明通过全新的工艺顺序制备了改变电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器整体紧凑，也可以兼容现有技术中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制作良率。
本发明授权嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式存储结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一半导体结构，第一半导体结构上具有层间介质层； 在层间介质层上制备第一金属间电介质层； 在第一金属间电介质层内制备第一金属线路、第一电极板； 在第一金属间电介质层上制备第一阻挡层； 采用蚀刻工艺打开第一电极板一侧区域的第一金属间电介质形成第一凹槽； 在第一凹槽内填充阻变材料； 在阻变材料上沉积导电金属材料，直至将第一凹槽填满； 以第一阻挡层作为停止层，采用平坦化工艺对阻变材料和导电金属材料进行平坦化并停留在第一阻挡层上，得到第二电极板和阻变层，第一电极板和与其相邻的阻变层、第二电极板构成一个阻变单元； 通过选择第一凹槽和第一电极板的相对方位，使得相邻两个阻变单元的第一电极板相邻设置，两个相邻第一电极板共用一根极板引线引出；所述第一金属线路包括源极引线和漏极引线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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