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龙图腾网获悉杭州电子科技大学;瑞安市人民医院(瑞安市人民医院医疗服务集团瑞安市红十字医院);绍兴君尚英高新材料科技有限公司申请的专利一种表面金字塔多级有序压阻型传感器的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120101984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510594391.2，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权一种表面金字塔多级有序压阻型传感器的制备方法及应用是由王雅新;章文婷;孔哲;汤呈宣;赵晓宇;张鉴;钟熙强;何少奇;崔茹飞;高稔现;温嘉红;朱大鹏;谢敏;张坤;张永军设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种表面金字塔多级有序压阻型传感器的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种表面金字塔多级有序压阻型传感器制备方法及应用，先获取表面覆盖有SiO2薄膜的Si衬底，所述Si衬底的晶向为100；所述SiO2薄膜表面覆盖有光刻胶层，所述光刻胶层上曝光有若干组圆点，每组由平行排列的3排圆点组成；再利用显影液显影后，将暴露的SiO2进行等离子刻蚀以暴露出Si衬底；去除光刻胶后利用NaOH溶液对裸露的Si进行湿刻蚀，得到硅模板；将导电材料倾倒于硅模板上，加热固化后，从硅模板上剥离，得到表面金字塔多级有序压阻型传感器的传感层，本发明改善传感器对于电极接触面积与可压缩性的依赖，提高灵敏度和传感范围。

本发明授权一种表面金字塔多级有序压阻型传感器的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种表面金字塔多级有序压阻型传感器制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、获取表面覆盖有SiO2薄膜的Si衬底，所述Si衬底的晶向为100； 所述SiO2薄膜表面覆盖有光刻胶层，激光直写时，所述光刻胶层上曝光有若干组圆点，每组由平行排列的3排圆点组成；每排圆点的数量不小于3个； 3种直径的圆点按直径由小到大分别命名为圆一、圆二、圆三，3排圆点依次由圆一、圆二、圆三组成，分别命名为排一、排二、排三； 每排中的圆一、圆二和圆三之间间距固定，记为d；且相邻排之间的间距也为d； 再利用显影液显影后，将暴露的SiO2进行等离子刻蚀以暴露出Si衬底；去除光刻胶后利用NaOH溶液对裸露的Si进行湿刻蚀，在Si衬底上得到等间距的3排金字塔型凹坑；最后去除SiO2得到硅模板； S2、使用多壁碳纳米管、石墨烯与正己烷混合后制备PDMS基导电材料； S3、将导电材料倾倒于硅模板上，加热固化后，从硅模板上剥离，得到表面金字塔多级有序压阻型传感器的传感层。

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