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深圳市豪鹏科技股份有限公司;惠州市豪鹏科技有限公司江兵获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市豪鹏科技股份有限公司;惠州市豪鹏科技有限公司申请的专利负极片及电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120109154B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510585288.1,技术领域涉及:H01M4/134;该发明授权负极片及电池是由江兵;刘关心;韩晓辉;张昌明设计研发完成,并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

负极片及电池在说明书摘要公布了:本申请涉及一种负极片及电池。该负极片包括负极集流体和设置于负极集流体至少一侧表面的负极涂层;负极涂层包括依次层叠设置的惰性层、第一活性层和第二活性层,第二活性层设置于所述负极集流体的表面;其中:惰性层包括第一粘结剂;第一活性层包括第一活性材料,第一活性材料包括硅材料和第一碳材料;第二活性层包括第二活性材料,第二活性材料包括第二碳材料。本申请提供的方案,能够使电池呈现优异的循环性能。

本发明授权负极片及电池在权利要求书中公布了:1.一种负极片,其特征在于,包括负极集流体和设置于所述负极集流体至少一侧表面的负极涂层;所述负极涂层包括依次层叠设置的惰性层、第一活性层和第二活性层,所述第二活性层设置于所述负极集流体的表面;其中: 所述惰性层包括第一粘结剂,且所述惰性层的厚度为0.2μm~2μm;所述第一活性层包括第一活性材料,所述第一活性材料包括硅材料和第一碳材料,所述硅材料为硅碳材料,且所述硅材料在所述第一活性材料中的质量百分含量为1%~50%,所述第一活性材料在所述第一活性层中的质量百分含量为91%~98.9%,所述第一活性层中所述硅材料的粒径D50为5μm~20μm;所述第二活性层包括第二活性材料,所述第二活性材料包括第二碳材料;所述负极片满足以下关系式: 0<H1H1+H2≤50%; 其中,H1为所述第一活性层的厚度;H2为所述第二活性层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市豪鹏科技股份有限公司;惠州市豪鹏科技有限公司,其通讯地址为:518172 广东省深圳市龙岗区平湖街道新厦大道68号第一栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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