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龙图腾网获悉湖南湘瓷科艺有限公司申请的专利一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120081677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510577999.4，技术领域涉及：C04B35/64；该发明授权一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺是由肖亮;王璨设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及陶瓷制备技术领域，具体涉及一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺，该工艺包括：将氮化硅陶瓷浆料进行光固化处理，然后清洗后进行固化；将固化后的陶瓷成型坯体进行脱脂，得到陶瓷脱脂坯体；对陶瓷脱脂坯体进行烧结，采集烧结过程中陶瓷脱脂坯体各时刻的表面温度矩阵，确定表面温度矩阵中各温度值对应位置的局部热应力显著度；将表面温度矩阵中所有温度值的局部热应力显著度组成热应力分布矩阵，确定热应力分布矩阵对应时刻的热效应奇异度；利用各时刻与其前一时刻的热效应奇异度的差异，对烧结过程中各时刻的升温速率进行调整；烧结完成后进行保温、降温、随炉冷却，得到氮化硅陶瓷。本申请提高了制备氮化硅陶瓷的性能及效率。

本发明授权一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺在权利要求书中公布了：1.一种高效率制备氮化硅陶瓷的工艺，其特征在于，该工艺包括： 将聚氮硅烷液体、氮化硅粉体、烧结助剂混合后加入光固化树脂与光引发剂，进行球磨混合，得到氮化硅陶瓷浆料； 将氮化硅陶瓷浆料置于光固化成型机中进行光固化处理，得到陶瓷成型坯体； 将陶瓷成型坯体清洗后进行固化； 将固化后的陶瓷成型坯体进行脱脂，得到陶瓷脱脂坯体； 对陶瓷脱脂坯体进行烧结，采集烧结过程中陶瓷脱脂坯体各时刻的表面温度矩阵，基于表面温度矩阵中各温度值与其邻域窗口内其余温度值的差异，构建表面温度矩阵中各温度值的局部温差向量； 分析所述局部温差向量中相邻元素之间的差异的分布，以及局部温差向量中所有元素的混乱程度，确定表面温度矩阵中各温度值在陶瓷脱脂坯体对应位置的局部热应力显著度；其中，局部热应力显著度反映了陶瓷脱脂胚体表面上局部热应力的显著性特征，局部热应力的显著性特征越大，局部区域内温差变化的混乱程度越高且一致连续性越差； 将表面温度矩阵中所有温度值的所述局部热应力显著度组成热应力分布矩阵，基于热应力分布矩阵中各行向量与其余行向量之间的相似程度，以及各行向量中相邻元素差异的变化率的分布，确定热应力分布矩阵中各行向量的横向热效应奇异度； 相应的，获取热应力分布矩阵中各列向量的纵向热效应奇异度，结合所述横向热效应奇异度，得到热应力分布矩阵对应时刻的热效应奇异度；利用各时刻与其前一时刻的热效应奇异度的差异，对烧结过程中各时刻的升温速率进行调整； 烧结完成后进行保温、降温、随炉冷却，得到氮化硅陶瓷； 所述对烧结过程中各时刻的升温速率进行调整，包括： 将热应力分布矩阵中所有列向量的纵向热效应奇异度的均值与所有行向量的横向热效应奇异度的均值的和值的归一化结果，作为热应力分布矩阵对应时刻的热效应奇异度； 计算各时刻与其前一时刻的热效应奇异度的差值，记为第一差值，计算所述第一差值与各时刻的升温速率的相乘结果，各时刻调整后的升温速率为各时刻的升温速率与所述相乘结果的差值。

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