深圳市天诺通光电科技有限公司庄瑞睦获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市天诺通光电科技有限公司申请的专利超高光效钙钛矿量子点PC材料在mini模组中的应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120091679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510570968.6,技术领域涉及:H10H29/01;该发明授权超高光效钙钛矿量子点PC材料在mini模组中的应用是由庄瑞睦;丁斌;庄瑞荣设计研发完成,并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本超高光效钙钛矿量子点PC材料在mini模组中的应用在说明书摘要公布了:本发明涉及显示技术领域,公开了超高光效钙钛矿量子点PC材料对mini模组应用,包括以下步骤:S1、合成钙钛矿量子点:在惰性气体的环境下,通过热注射法制备钙钛矿量子点;S2、抗淬灭处理:在钙钛矿量子点表面包覆抗淬灭层,所述抗淬灭层包括无机氧化物壳层或有机聚合物壳层;S3、量子点分散:将抗淬灭处理后的钙钛矿量子点分散于有机溶剂中;S4、PC材料复合;S5、图案化处理;S6、固化成型。通过量子点分散液与PC材料结合,利用PC材料良好的机械性能、化学稳定性和高抗热性能,为钙钛矿量子点提供稳定的支撑基体,从而使复合材料既具备钙钛矿量子点的高光效发光特性,又拥有PC材料的实用性能,满足mini模组对材料光学和物理性能的双重要求。
本发明授权超高光效钙钛矿量子点PC材料在mini模组中的应用在权利要求书中公布了:1.超高光效钙钛矿量子点PC材料在mini模组中的应用,其特征在于,包括以下步骤: S1、合成钙钛矿量子点:在惰性气体的环境下,通过热注射法制备钙钛矿量子点; S2、抗淬灭处理:在钙钛矿量子点表面包覆抗淬灭层,所述抗淬灭层包括无机氧化物壳层或有机聚合物壳层; S3、量子点分散:将抗淬灭处理后的钙钛矿量子点分散于有机溶剂中,进行搅拌,形成均匀的量子点分散液; S4、PC材料复合:将量子点分散液与PC材料混合,通过溶液共混法,使量子点分散于PC材料基体中; S5、图案化处理:通过光刻技术,在PC材料表面形成预设的量子点图案; S6、固化成型:将图案化处理后的PC材料进行热压,形成超高光效钙钛矿量子点PC材料,应用于Mini模组功能层中; 所述S1中制备钙钛矿量子点粒径在5-20nm; 所述S2中抗淬灭层的厚度为1-10nm,所述无机氧化物壳层包括二氧化硅、氧化铝或二氧化钛,所述有机聚合物壳层包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚乙烯吡咯烷酮; 所述抗淬灭处理具体包括以下步骤: S201、将无机氧化物壳层或有机聚合物壳层对应材料,通过加入有机溶剂,制备抗淬灭层前驱体溶液; S202、将钙钛矿量子点分散于抗淬灭层前驱体溶液中,同时搅拌以促进混合,形成抗淬灭层; S203、采用旋涂法在玻璃基底形成抗淬灭层,旋涂速度设置为3000-5000转分钟,旋涂时间为30~60秒; S204、在形成抗淬灭层后,若为无机氧化物壳层,在80-120℃的烘箱中固化2-4小时,若为有机聚合物壳层,在60-80℃的真空烘箱中干燥6-8小时; 所述S3中有机溶剂包括甲苯或氯苯,所述量子点分散液中钙钛矿量子点的质量浓度为1%~3%; 所述图案化处理包括以下步骤: S501、在初步复合PC材料表面旋涂光刻胶; S502、然后将带有预设量子点图案的掩模版覆盖在光刻胶上,通过紫外光对其进行曝光; S503、曝光完成后,用显影液显影3~5分钟,并去除未曝光的光刻胶,在PC材料表面形成预设的量子点图案; 所述S6中热压温度为180-220℃,压力为5-10MPa,热压时间在10~20分钟,所述Mini模组功能层包括光学膜、导光板和封装层。
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