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龙图腾网获悉西湖仪器(杭州)技术有限公司申请的专利一种SiC晶锭的小面检测方法及处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120064245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510549512.1，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种SiC晶锭的小面检测方法及处理方法是由朱佳凯;刘峰江;刘东立;俞小英设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC晶锭的小面检测方法及处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiC晶锭的小面检测方法及处理方法。SiC晶锭的小面检测方法包括，建立Δω‑n线性模型；通过Δω‑n线性模型确定掺杂浓度nij，将这些掺杂浓度nij、检测图像、以及对应的XY坐标位置相关联，构建工件表面层的掺杂浓度分布图；SiC晶锭的处理方法包括，基于掺杂浓度分布图、以及预设的n‑P曲线模型，将这些激光加工功率Pij、检测图像、以及对应的XY坐标位置相关联，构建工件改质层的功率分布图；将加工激光束聚焦于工件的预定深度而进行内部改质，得到带有改质层的碳化硅工件。本发明具有提高晶锭掺杂浓度的检测精度、受异常值影响小、实现无损精准小面检测、提高加工一致性、降低改质层材料损耗的效果。

本发明授权一种SiC晶锭的小面检测方法及处理方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC晶锭的处理方法，其特征在于：包括以下步骤， S1提供一个碳化硅工件，根据小面检测方法构建所述工件表面层的掺杂浓度分布图； S2基于所述S1得到的掺杂浓度分布图、以及预设的掺杂浓度n和激光加工功率P之间的n-P曲线模型，确定所述工件表面层上不同检测点的激光加工功率Pij，并将这些激光加工功率Pij、检测图像、以及对应的XY坐标位置相关联，构建所述工件改质层的功率分布图； S3基于所述S2得到的功率分布图，将加工激光束聚焦于所述工件的预定深度而进行内部改质，并使所述工件和聚焦点近似地在XY方向上相对移动，得到带有改质层的碳化硅工件； 所述小面检测方法包括以下步骤， S11提供多个不同掺杂浓度n的碳化硅标准品，获取这些标准品的拉曼特征峰频率ωn，以其中一个标准品的拉曼特征峰频率ωn为基准作差值计算，并确定相对拉曼频移Δω，进而基于最小二乘法建立相对拉曼频移Δω与掺杂浓度n的Δω-n线性模型； S12提供一个碳化硅工件，基于预设的拉曼检测扫描路径，获取所述工件表面层上不同检测点的拉曼特征峰频率ωi、检测图像、以及垂直于所述工件高度方向的XY平面上的XY坐标位置（Xi，Yj），进而通过所述Δω-n线性模型确定掺杂浓度nij，并将这些掺杂浓度nij、检测图像、以及对应的XY坐标位置相关联，构建所述工件表面层的掺杂浓度分布图。

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