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龙图腾网获悉山东科技大学申请的专利一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120064409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510527601.6，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器及制备方法是由张雪;杨德旺;郭素敏;田群宏设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器及制备方法，属于半导体气体传感器技术领域，自下而上依次包括衬底、栅电极、栅介质层、敏感材料层和顶层电极，顶层电极上方设有脉冲光激发装置，敏感材料层为PN型或NN型横向异质结金属氧化物半导体，金属氧化物的横向异质结结构可增加两种敏感材料之间的界面面积，将紫外光以脉冲形式照在金属电极和敏感材料层，通过检测半导体气体传感器器件的阈值电压和漏电极电流参数变化，实现对目标气体的检测。提高了敏感材料中光生自由电子‑空穴对的数量，使传感器工作时无需高温加热，可有效降低其功耗，扩大了气体传感器的应用范围。

本发明授权一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种脉冲紫外光激发的半导体气体传感器，其特征在于，自下而上依次包括衬底、栅电极、栅介质层、敏感材料层和顶层电极，所述顶层电极上方设有脉冲光激发装置； 所述敏感材料层为PN型或NN型横向异质结金属氧化物半导体，由P型或N型金属氧化物半导体层和N型金属氧化物半导体层水平交替排布构成，包括掺杂和未掺杂金属氧化物材料； 该半导体气体传感器的制备方法包括以下步骤： S1、分别制备含有金属铟离子的N型和P型金属氧化物前驱体溶液，以及具有氮化硅栅介质层的硅衬底； S2、采用丙酮、异丙醇和去离子水分别对硅衬底清洗后进行烘干，并采用等离子清洗机对硅衬底表面进行二次清洗处理，提高表面的亲水性； S3、制备一种多沟道柔性模具，模具设有若干个线型微通道，将模具按压在栅介质层上，将所选的N型或P型金属氧化物前驱体溶液滴在模具一侧，使其受微通道毛细力作用流入线型微通道内，之后放置在热台进行预烤，待去掉模具后结合脉冲紫外光进行低温退火，得到线型结构的N型或P型半导体层； S4、采用旋涂法，将S3得到的样品放置于匀胶机中，以旋涂方式涂覆N型金属氧化物前驱体溶液，之后置于加热台预烤，然后结合脉冲紫外光进行低温退火，得到水平横向异质结结构的PN型或NN型金属氧化物敏感材料层； S5、以真空沉积方式，形成栅电极、源电极和漏电极，最终得到基于横向异质结半导体材料的半导体气体传感器； S6、将紫外光以脉冲形式照在顶层电极和敏感材料层，通过检测半导体气体传感器的阈值电压和漏电极电流参数变化，实现对目标气体的检测； 所述线型微通道的线型宽度5μm，长度15μm，行距1μm，图案高度50nm。

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