Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
服务订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权

晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利双栅MOS结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119907290B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510397428.2,技术领域涉及:H10D64/27;该发明授权双栅MOS结构及其制备方法是由王文智;刘哲儒设计研发完成,并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

双栅MOS结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体制备工艺技术领域,提供了一种双栅MOS结构及其制备方法,所述制备方法包括:提供基底;所述基底包括衬底初体和浅沟槽隔离结构;其中,所述衬底初体包括被所述浅沟槽隔离结构定义的有源区;所述有源区表面形成有下凹孔;在所述下凹孔内填充形成第一栅极结构初体,并在所述有源区表面上形成位于所述第一栅极结构初体与浅沟槽隔离结构之间的第二栅极结构;以垂直于有源区排布方向的平面作为切割面,对所述第一栅极结构初体和所述衬底初体进行切割,得到所述双栅MOS结构的衬底、第一栅极结构和第二栅极结构;其中,所述第一栅极结构与所述衬底的接触面为非平面。如此,能够在不额外占用晶圆面积的情况下,改善短沟道效应问题。

本发明授权双栅MOS结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种双栅MOS结构,其特征在于,包括: 衬底,所述衬底表面形成有凹陷的下凹部,且所述下凹部在与所述衬底表面邻接的侧面也形成有凹陷; 第一栅极结构,所述第一栅极结构嵌入所述下凹部; 第二栅极结构,所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构与浅沟槽隔离结构之间的衬底表面上;其中,所述第一栅极结构与所述下凹部的侧壁相接触形成的接触面为非平面; 其中,所述双栅MOS结构的衬底和第一栅极结构通过对第一栅极结构初体和衬底初体进行切割得到;其中,所述衬底初体具有被浅沟槽隔离结构定义出的有源区;所述有源区的表面形成有下凹孔,所述栅极结构初体填充于所述下凹孔中;其中,所述下凹部由所述下凹孔被切割后的部分侧壁和部分底部形成;其中,在预先已经定义出的有源区尺寸前提下,第一栅极结构初体和衬底初体被切割后能得到两个独立的所述双栅MOS结构; 所述衬底中还形成有位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的源漏区;其中,所述第一栅极结构与所述第二栅极结构分别对应不同的沟道;其中,所述第一栅极结构对应的沟道的延伸方向与所述接触面在源漏区之间的延伸方向一致,以使所述第一栅极结构对应的沟道的长度大于源漏区之间的间距;其中,所述源漏区沿所述衬底初体中有源区的排布方向延伸至浅沟槽隔离结构;所述第一栅极结构和所述第二栅极结构分别与所述衬底构成第一MOS结构和第二MOS结构;其中,所述第一MOS结构和第二MOS结构分别具有不同的阈值电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。