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广立微(上海)技术有限公司盛拓获国家专利权

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龙图腾网获悉广立微(上海)技术有限公司申请的专利版图优化评估方法、测试结构、装置及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119886007B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510361380.X,技术领域涉及:G06F30/337;该发明授权版图优化评估方法、测试结构、装置及存储介质是由盛拓;苌文龙;李有多;陈鑫;许俊康设计研发完成,并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

版图优化评估方法、测试结构、装置及存储介质在说明书摘要公布了:本申请涉及一种版图优化评估方法、测试结构、装置及存储介质。所述方法包括:获取第一版图;构建多种类型的测试电容结构对应的延时关系;所述延时关系包括基于测试电容结构的延时、电容值和或结构设计参数的数据关系;获取版图优化类型;基于所述版图优化类型对应的延时关系,对所述第一版图进行延时优化,和或,对第二版图进行延时评估;其中,所述第一版图为原始环形振荡器的版图;第二版图为优化后环形振荡器的版图。通过构建多种类型的测试电容结构对应的延时关系,再通过该延时关系基于版图优化类型,对第一版图进行延时优化和或对第二版图进行延时评估,从而能够更加精准的评估环形振荡器的性能,从而提高环形振荡器的性能。

本发明授权版图优化评估方法、测试结构、装置及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种环形振荡器的版图优化评估方法,其特征在于,所述方法包括: 获取第一版图; 构建多种类型的测试电容结构对应的延时关系;所述延时关系包括基于测试电容结构的延时、电容值和或结构设计参数的数据关系; 获取版图优化类型; 基于所述版图优化类型对应的延时关系,对所述第一版图进行延时优化,和或,对第二版图进行延时评估; 其中,所述第一版图为原始环形振荡器的版图;第二版图为优化后环形振荡器的版图; 版图优化类型包括:针对前段CMOS的电容结构的版图优化类型、针对中段电容的电容结构的版图优化类型、针对后段电容的电容结构的版图优化类型以及针对前段结电容的电容结构的版图优化类型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广立微(上海)技术有限公司,其通讯地址为:201311 上海市浦东新区临港新片区环湖西二路888号C楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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