芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司史海笑获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利SIC芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411813993.4，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权SIC芯片及其制造方法是由史海笑设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本SIC芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SIC芯片及其制造方法，属于半导体领域。该SIC芯片制造方法包括提供一SIC芯片，在通孔的内壁和底部沉积钝化层，且钝化层延伸至通孔周围的金属覆盖层；在钝化层的表面形成第一PI层，并填充通孔；在第一PI层表面形成第二PI层，其中，第一PI层和第二PI层胶性相反；在第二PI层表面形成塑封层，塑封层将第二PI层和金属覆盖层覆盖。本发明通过形成胶性相反的两层PI层。使用两层PI层，可以形成SIC芯片表面应力梯度结构，有效减少热循环过程中塑封料与SIC芯片之间的剪切应力，从而能够降低SIC芯片的边缘和拐角的剪切应力，进而能够避免SIC芯片与塑封料分层，以及SIC芯片开裂，进一步能够避免器件物理性质异常以及电性失效。
本发明授权SIC芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SIC芯片，其特征在于，包括： 有源区，形成有器件功能结构； 终端区，围绕所述有源区的外围设置； 半导体结构层，位于所述有源区和终端区之间，并靠近所述有源区的边缘设置，所述半导体结构层包括外延层，依次沉积在外延层表面的场氧化层、多晶硅层、电介质层和金属覆盖层； 所述金属覆盖层设置有通孔，所述通孔的内壁和底部沉积有钝化层，所述钝化层延伸至所述通孔周围的金属覆盖层，所述钝化层的表面依次设置有第一PI层和第二PI层，所述第一PI层将所述钝化层覆盖，并填满所述通孔，所述第二PI层将所述第一PI层覆盖，所述第二PI层表面塑封有塑封层，所述塑封层将所述第二PI层和金属覆盖层覆盖，其中，所述第一PI层和第二PI层胶性相反，所述第一PI层与所述第二PI层具有不同的热膨胀系数。
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