无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司许伏龙获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司申请的专利一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411513026.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用是由许伏龙;刘丹;耿超;黄阳设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的温度、恒温时间和内腔空间的压力，并使得所述热处理装置的腔体空间内的气氛为惰性气氛；测量热处理后的硅基材料中氧化层的厚度和均匀性，以判断RTO过程中的漏氧程度。本发明提供的量测方法不仅工艺简单，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度，效率高，而且能够在高温环境下准确测量硅基材料的漏氧程度和均匀性，可实现对RTO过程中装置内腔体空间的密封性检测。
本发明授权一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法，其特征在于，所述量测方法包括以下步骤： 将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的温度、恒温时间和内腔空间的压力，并使得所述热处理装置的腔体空间内的气氛为惰性气氛；所述热处理装置的温度区间为800~900℃；所述热处理装置的恒温时间为5~10min；所述热处理装置的内腔空间的相对压力为50~150kPa； 启动热处理装置，对所述硅基材料进行热处理； 测量热处理后的硅基材料中氧化层的厚度和均匀性，以判断RTO过程中的漏氧程度；测量所述硅基材料中氧化层的厚度和均匀性的设备为非接触式光学量测装置； 所述判断RTO过程中的漏氧程度后，还进行数据处理和RTO的参数优化的步骤。
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