武汉理工大学吴劲松获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411509235.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用是由吴劲松;王美焱;罗豪设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用，快离子导体活性电极忆阻器功能层材料包括叠设的快离子导体层及非晶氧化物层；快离子导体层的离子导电率大于非晶氧化物层的离子导电率，非晶氧化物层的电阻率大于快离子导体层的电阻率，非晶氧化物层含有离子迁移通道；本申请利用快离子导体较高的离子导电率，大大降低了活性金属电极忆阻器的阻变电压，阻态可进行稳定的缓变，实现了对金属导电细丝通断的调制效果，提高了忆阻器的稳定性和一致性。
本发明授权快离子导体活性电极忆阻器功能层材料及其制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种快离子导体活性电极忆阻器功能层材料，其特征在于，包括叠设的快离子导体层及非晶氧化物层；所述快离子导体层的离子导电率大于所述非晶氧化物层的离子导电率，所述非晶氧化物层的电阻率大于所述快离子导体层的电阻率，所述非晶氧化物层含有离子迁移通道； 所述快离子导体层为Ag2TexS1-x、（0.3≤x≤0.7），所述非晶氧化物层为HfO2，这两者构成Ag2TexS1-xHfO2双层堆叠结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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