宁波奥拉半导体股份有限公司陈帅谦获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波奥拉半导体股份有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223245619U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422484367.7,技术领域涉及:H01L23/64;该实用新型一种半导体器件是由陈帅谦;周小舟;王云松设计研发完成,并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了:本申请提供一种半导体器件,包括MIM电容以及电容增强结构,电容增强结构位于MIM电容上方,MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于下金属层与上金属层之间的第一介质层,电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线,信号线与第一地线之间设置有第二介质层,信号线位于第一地线靠近MIM电容的一侧,信号线与上金属层连接。通过设置由相互平行的信号线以及第一地线且在信号线与第一地线之间设置第二介质层构成电容增强结构,并将信号线设置为与上金属层连接,以使得信号线和第一地线之间产生寄生耦合MIM电容,从而提高MIM电容的电容值。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括MIM电容以及电容增强结构,所述电容增强结构位于所述MIM电容上方,所述MIM电容包括下金属层、上金属层以及设置于所述下金属层与所述上金属层之间的第一介质层,所述电容增强结构包括相互平行且间隔设置的信号线和第一地线,所述信号线与所述第一地线之间设置有第二介质层,所述信号线位于所述第一地线靠近所述MIM电容的一侧,所述信号线与所述上金属层连接。
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