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龙图腾网获悉罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司申请的专利一种用于AR/VR全彩显示的微LED芯片、微LED显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919615B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411413952.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种用于AR/VR全彩显示的微LED芯片、微LED显示面板及其制备方法是由陈文娟;陈凤;瞿澄设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于AR/VR全彩显示的微LED芯片、微LED显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于ARVR全彩显示的微LED芯片、微LED显示面板及其制备方法，涉及半导体显示技术领域。在本申请的用于ARVR全彩显示的微LED芯片的制备方法中，通过在生长衬底的第一区域形成多个第一凹槽，且在生长衬底的第二区域形成多个第二凹槽，进而设置第二凹槽的个数大于第一凹槽的个数，然后再在第一凹槽中形成第一介电块以及在第二凹槽中形成第二介电块，然后再形成缓冲层和外延功能层，通过第一凹槽和第二凹槽的设置，且在第一凹槽和第二凹槽中分别设置第一介电块以及第二介电块，进而在后续工序中便于解离生长衬底，进而提高微LED芯片的制备良率。

本发明授权一种用于AR/VR全彩显示的微LED芯片、微LED显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于ARVR全彩显示的微LED芯片的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括第一区域以及第二区域，所述第一区域为所述衬底的中间区域，所述第二区域为所述衬底的外围区域，所述第二区域围绕所述第一区域； 在所述第一区域形成多个第一凹槽，在所述第二区域形成多个第二凹槽，所述第二凹槽的个数是所述第一凹槽的个数的2-5倍，所述第一凹槽的深度比所述第二凹槽的深度大500纳米-3000纳米； 在多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽中沉积介电材料，以在所述第一凹槽中形成第一介电块以及在所述第二凹槽中形成第二介电块，所述第一介电块的厚度比所述第一凹槽的深度小100-500纳米，且所述第二介电块的厚度比所述第二凹槽的深度小100-500纳米； 接着在所述衬底上形成缓冲层，并对所述缓冲层进行平坦化处理，在形成所述缓冲层的过程中，所述缓冲层的一部分嵌入到所述第一凹槽和所述第二凹槽中； 接着在所述衬底上外延生长外延功能层； 接着在所述在所述外延功能层上形成多个第一电极和多个第二电极； 提供一临时载板，将所述衬底设置在所述临时载板上，且使得所述外延功能层朝向所述临时载板； 接着对所述衬底进行解离处理，以去除所述衬底； 接着对所述外延功能层进行切割处理，以形成多个微LED芯片。

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