台湾积体电路制造股份有限公司余科京获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223246961U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422449979.2，技术领域涉及：H10D84/80；该实用新型半导体装置结构是由余科京;林彦良;萧茹雄设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构包含一第一区、一第二区及设置于该第一区与该第二区之间的一边界区，该第一区包含设置于一半导体鳍片上方的一栅电极。该边界区包含一金属‑绝缘体‑金属MIM结构，且该MIM结构包含设置于该半导体鳍片上方的一第一导电层、与该第一导电层接触的一第一介电层及与该第一介电层接触的一第二导电层。该第二导电层的一顶表面与该栅电极的一顶表面可实质上共平面。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一第一区，包括设置于一半导体鳍片上方的一栅电极； 一第二区；及 一边界区，设置于该第一区与该第二区之间，其中该边界区包括一金属-绝缘体-金属结构，且该金属-绝缘体-金属结构包括： 一第一导电层，设置于该半导体鳍片上方； 一第一介电层，与该第一导电层接触；及 一第二导电层，与该第一介电层接触，其中该第二导电层的一顶表面与该栅电极的一顶表面共平面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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