浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118909552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411396525.1，技术领域涉及：C09G1/04；该发明授权一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途是由侯军;郭岩;吕晶;许爱晨;李明松设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途。所述高反射单晶硅碱抛添加剂包括质量份如下的各组分：保护剂1‑2份；抛光剂1‑5份；表面活性剂0.1‑1份；缓蚀剂0.5‑2份；去离子水60‑80份。所述保护剂为硅醚类化合物；所述抛光剂为含锂化合物；所述表面活性剂为十二烷基葡糖苷、癸基葡糖苷、吡喃葡萄糖苷和邻硝基苯‑β‑D‑吡喃半乳糖苷中的一种或多种；所述缓蚀剂为聚谷氨酸、聚赖氨酸、间羟基苯甲酸和对羟基苯甲酸中的一种或多种。本发明添加有碱抛添加剂的碱抛液能改善硅片的抛光效果，实现高选择性腐蚀，最终得到高反射背抛面的单晶硅片，进而提高太阳能电池转换效率。
本发明授权一种高反射单晶硅碱抛添加剂、碱抛液及制备方法与用途在权利要求书中公布了：1.一种高反射单晶硅碱抛添加剂，其特征在于，包括质量份如下的各组分： 保护剂1-2份； 抛光剂1-5份； 表面活性剂0.1-1份； 缓蚀剂0.5-2份； 去离子水60-80份； 所述保护剂为叔丁基二甲基甲硅烷基缩水甘油醚、叔丁基二甲基烯丙基硅醚和1,3-双（氨丙烷基）四甲基二硅醚中的一种或多种； 所述抛光剂为甲基丙烯酸锂、六氟磷酸锂和异丙基氯化镁-氯化锂中的一种或多种； 所述表面活性剂为十二烷基葡糖苷、癸基葡糖苷、吡喃葡萄糖苷和邻硝基苯-β-D-吡喃半乳糖苷中的一种或多种； 所述缓蚀剂为聚谷氨酸、聚赖氨酸、间羟基苯甲酸和对羟基苯甲酸中的一种或多种。
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