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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利LED发光阵列结构及发光模组获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223246999U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422404101.7，技术领域涉及：H10H29/85；该实用新型LED发光阵列结构及发光模组是由郝茂盛;张楠;马艳红;陈朋设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED发光阵列结构及发光模组在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种LED发光阵列结构及发光模组，包括：硅基板，第一面设置有多个阵列排布的凹坑；金属布线层，包括：第一金属布线层、第二金属布线层，分别覆盖凹坑的两侧的底部、侧壁及平台，两者之间隔开预设距离；焊盘，其包括：第一焊盘、第二焊盘，分别电性连接于第一金属布线层、第二金属布线层的位于凹坑的底部的部分；反射部，设置于金属布线层的远离凹坑的一侧，不覆盖焊盘；LED发光单元，设置于凹坑中，正、负电极分别与第一焊盘、第二焊盘电性连接；荧光粉，填充于凹坑中，覆盖LED发光单元的出光面。本实用新型的技术方案，发光单元设置在凹坑中，实现了相互之间的隔离；反射部将四周的光反射为正面出光，减少了串扰。

本实用新型LED发光阵列结构及发光模组在权利要求书中公布了：1.一种LED发光阵列结构，其特征在于，包括： 硅基板，其第一面设置有多个阵列排布的凹坑，所述凹坑相对于所述第一面凹陷；相邻所述凹坑之间存在间距； 金属布线层，其包括：第一金属布线层、第二金属布线层；所述第一金属布线层覆盖所述凹坑的第一侧的底部、侧壁及平台，所述第二金属布线层覆盖所述凹坑的第二侧的底部、侧壁及平台；所述平台指所述硅基板的第一面的未凹陷、且位于所述凹坑的边沿的部分，所述凹坑的第一侧与所述凹坑的第二侧相对；所述第一金属布线层与所述第二金属布线层隔开预设距离； 焊盘，其包括：第一焊盘、第二焊盘；所述第一焊盘电性连接于所述第一金属布线层的位于所述凹坑的底部、且远离所述凹坑的底部的一侧；所述第二焊盘电性连接于所述第二金属布线层的位于所述凹坑的底部、且远离所述凹坑的底部的一侧； 反射部，其设置于所述金属布线层的远离所述凹坑的一侧，不覆盖所述第一焊盘、所述第二焊盘； LED发光单元，其设置于所述凹坑中，与所述凹坑一一对应；所述LED发光单元的正、负电极分别与所述第一焊盘、所述第二焊盘电性连接；所述LED发光单元的出光面朝向所述凹坑的顶部； 荧光粉，其填充于所述凹坑中，覆盖所述LED发光单元的出光面。

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