一塔半导体(安徽)有限公司王涛获国家专利权
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龙图腾网获悉一塔半导体(安徽)有限公司申请的专利一种外延工艺反应腔室的腔盖、反应腔室及外延设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223240210U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422347450.X，技术领域涉及：C30B25/02；该实用新型一种外延工艺反应腔室的腔盖、反应腔室及外延设备是由王涛;游月辉;夏杨建;王永;郭军强设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延工艺反应腔室的腔盖、反应腔室及外延设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延工艺反应腔室的腔盖、反应腔室及外延设备，涉及半导体制造设备领域。所述腔盖的中央设有供第一进气结构穿过的第一通孔，所述第一进气结构用于向所述反应腔室内通入反应气体，所述腔盖围绕所述第一通孔设置有第二进气结构，所述第二进气结构包括多个可独立进气的载气输出件，每个所述载气输出件均设有匀气组件，所述第二进气结构经过匀气组件匀化后喷出的载气可以将第二进气结构喷出的至少部分反应气体下压。本发明通过载气输出件的匀气组件将载气进行匀化，再通过载气去下压并打散反应气体，使得晶圆上各区域的薄膜生长速度趋于一致，膜厚更加均匀。
本实用新型一种外延工艺反应腔室的腔盖、反应腔室及外延设备在权利要求书中公布了：1.一种外延工艺反应腔室的腔盖，其特征在于，所述腔盖的中央设有供第一进气结构穿过的第一通孔，所述第一进气结构用于向所述反应腔室内通入反应气体，所述腔盖围绕所述第一通孔设置有第二进气结构，所述第二进气结构包括多个可独立进气的载气输出件，每个所述载气输出件均设有匀气组件，所述第二进气结构经过匀气组件匀化后喷出的载气可以将第二进气结构喷出的至少部分反应气体下压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人一塔半导体(安徽)有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区云二路176号珠江路科技园B栋一层南侧103室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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