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龙图腾网获悉安徽大鹏半导体有限公司申请的专利一种双向静电放电器件和射频端口装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223246962U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422301678.5，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种双向静电放电器件和射频端口装置是由王跃;张常军设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向静电放电器件和射频端口装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种双向静电放电器件和射频端口装置，其中，双向静电放电器件包括两个单向静电放电器件；单向静电放电器件包括：衬底；设置于衬底一侧的外延层；设置于外延层远离衬底一侧的埋层；设置于外延层远离衬底一侧的本征外延层；本征外延层在衬底的正投影覆盖埋层在衬底的正投影；设置于本征外延层远离衬底一侧的体区、第一有源区和第二有源区；设置于本征外延层远离衬底一侧的第一导电层，第一导电层分别与第一有源区和第二有源区连接；两个单向静电放电器件通过第一导电层连接；设置于衬底远离外延层一侧的第二导电层；第二导电层作为双向静电放电器件的输入端口。本实用新型有效降低了双向静电放电器件的电容值。

本实用新型一种双向静电放电器件和射频端口装置在权利要求书中公布了：1.一种双向静电放电器件，其特征在于，包括两个串联连接的单向静电放电器件；所述单向静电放电器件包括： 衬底； 沿第一方向，设置于所述衬底一侧的外延层，所述第一方向为所述衬底的厚度方向； 沿所述第一方向，设置于所述外延层远离所述衬底一侧的埋层； 沿所述第一方向，设置于所述外延层远离所述衬底一侧的本征外延层；所述本征外延层在所述衬底的正投影覆盖所述埋层在所述衬底的正投影； 沿所述第一方向，设置于所述本征外延层远离所述衬底一侧的体区、第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述体区远离所述衬底的一侧；沿第二方向，所述第二有源区与所述第一有源区设置在同侧；所述第二方向为平行于所述衬底所在平面的方向； 沿所述第一方向，设置于所述本征外延层远离所述衬底一侧的第一导电层，所述第一导电层分别与所述第一有源区和所述第二有源区连接；两个所述单向静电放电器件通过所述第一导电层连接； 沿所述第一方向，设置于所述衬底远离所述外延层一侧的第二导电层；所述第二导电层作为所述双向静电放电器件的输入端口。

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