华南理工大学刘炜珍获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119118202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411262517.8，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用是由刘炜珍;胡莉萌;毛敏霖;谢祥塔;钟敏骅;陈绍坚;周睿设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于电极材料及重金属废水处理技术领域，公开了一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将钨酸钠、硫脲、盐酸羟胺和表面活性剂均匀分散于去离子水中，得到混合溶液；将混合溶液加热至160～200℃进行水热反应，反应产物经分离、洗涤、干燥，得到WS2赝电容界面材料。本发明的制备方法简单，反应条件温和，成本低。所得WS2赝电容界面材料可应用于电容吸附去除重金属离子，对Cr3+、Cd2+、Pb2+、Ni2+、Co2+、Cu2+等重金属离子的去除效率可达到90％以上。相比常规方法，具有能源效率高、环境友好、无污染等优点。
本发明授权一种WS2赝电容界面材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种WS2赝电容界面材料在电容吸附去除重金属离子中的应用，其特征在于，所述应用方法为：将WS2赝电容界面材料作为电容去离子装置的负极，活性炭材料作为正极，然后通过电容吸附去除重金属离子；所述电容吸附的电压为0.1～5V；所述重金属离子包括Cr、Cd、Pb、Ni、Co、Cu重金属离子中的至少一种； 所述WS2赝电容界面材料的制备方法包括如下制备步骤： 将钨酸钠、硫脲、盐酸羟胺和表面活性剂均匀分散于去离子水中，得到混合溶液；将混合溶液加热至160~200℃进行水热反应，反应产物经分离、洗涤、干燥，得到WS2赝电容界面材料； 所述表面活性剂为CTAB，CTAB的加入量为混合溶液质量的0.5%~2%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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