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英诺赛科(苏州)半导体有限公司赵杰获国家专利权

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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223246958U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422040242.5,技术领域涉及:H10D30/47;该实用新型一种半导体器件是由赵杰;陈扶;刘艳;黄兴杰设计研发完成,并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体器件在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种半导体器件,包括:衬底;半导体外延层,位于衬底的一侧;其中,半导体外延层内具有二维电子气的异质结;半导体外延层包括栅极区以及位于栅极区相对两侧的漂移区;栅极结构,位于半导体外延层远离衬底的一侧,且位于半导体外延层的栅极区;应变层,位于半导体外延层的漂移区以及栅极结构的侧壁;其中,应变层靠近衬底一侧的表面、应变层的内部和应变层远离衬底一侧的表面中的至少一处包括寄生负电荷层;寄生负电荷层用于向二维电子气补充电子。本实用新型提供的技术方案,降低了器件的动态电阻值,提高了器件的工作效率。

本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 衬底; 半导体外延层,位于所述衬底的一侧;其中,所述半导体外延层内具有二维电子气的异质结;所述半导体外延层包括栅极区以及位于所述栅极区相对两侧的漂移区; 栅极结构,位于所述半导体外延层远离所述衬底的一侧,且位于所述半导体外延层的栅极区; 应变层,位于所述半导体外延层的漂移区以及所述栅极结构的侧壁; 其中,所述应变层靠近所述衬底一侧的表面、所述应变层的内部和所述应变层远离所述衬底一侧的表面中的至少一处包括寄生负电荷层;所述寄生负电荷层用于向所述二维电子气补充电子。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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