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龙图腾网获悉青岛华芯晶电科技有限公司申请的专利氧化镓微观缺陷电学特性调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119048455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411104454.3，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权氧化镓微观缺陷电学特性调节方法是由肖燕青;郑东;肖迪;吕可慧;贾松松;李亚平设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓微观缺陷电学特性调节方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氧化镓材料优化技术领域，特别涉及氧化镓微观缺陷电学特性调节方法及系统，包括使用明场成像模式获取的氧化镓材料的整体结构图像，基于整体结构图像确定缺陷敏感区域；获取检查区域的暗场图像、高分辨率图像；将采集的暗场图像和高分辨率图像输入到预构建的缺陷种类识别模型中，获取检查区域的缺陷种类。本发明无需采用显微系统遍历整个氧化镓材料，极大化地提高其缺陷检测效率，并且通过确定缺陷敏感区域，然后在采集缺陷敏感区域采集暗场图像、高分辨率图像，输入到训练好的预构建的缺陷种类识别模型中，进行缺陷识别，即无需人为判断缺陷种类，进一步提高其判断的效率和稳定性。

本发明授权氧化镓微观缺陷电学特性调节方法在权利要求书中公布了：1.氧化镓微观缺陷电学特性调节方法，其特征在于，包括： 采集氧化镓材料的TEM图像，所述TEM图像为明场图像，即使用明场成像模式获取的氧化镓材料的整体结构图像，基于整体结构图像确定缺陷敏感区域； 获取氧化镓材料中与缺陷敏感区域对应的区域，标记为检查区域，获取检查区域的暗场图像与高分辨率图像； 所述获取检查区域的暗场图像和高分辨率图像的方法包括： 在使用明场成像模式，获得氧化镓材料的整体结构图像后，调整氧化镓材料位置和聚焦，然后使用暗场成像模式、高分辨成像模式分别进行图像采集，从而获取缺陷敏感区域的暗场图像和高分辨率图像； 将采集的暗场图像和高分辨率图像输入到预构建的缺陷种类识别模型中，获取检查区域的缺陷种类，基于缺陷种类确定缺陷类型，其中缺陷类型包括可修复类型和不可修复类型； 根据可修复类型，获取缺陷种类以及该缺陷种类对应的缺陷程度，计算生成缺陷修复系数； 将采集的缺陷种类和缺陷修复系数输入预构建的掺杂参数推荐模型中，得到掺杂参数推荐集合标签，进而获取到掺杂参数推荐集合标签对应的掺杂参数推荐集合，根据掺杂参数推荐集合内的参数，对氧化镓材料进行掺杂调控，优化氧化镓材料电学特性； 所述掺杂参数推荐集合为，为集合标签为时对应的掺杂元素，为集合标签为时对应的掺杂浓度，为集合标签为时对应的掺杂方式； 所述掺杂参数推荐模型的训练方法包括： 预先将掺杂参数推荐集合设置相应的编号； 将缺陷种类和缺陷修复系数转换为对应的一组特征向量，将每组特征向量作为所述掺杂参数推荐模型的输入，所述掺杂参数推荐模型以每组缺陷种类和缺陷修复系数对应的一组掺杂参数推荐集合编号作为输出，以每组缺陷种类和缺陷修复系数实际对应的一组掺杂参数推荐集合编号作为预测目标，以最小化掺杂参数推荐模型损失函数值作为训练目标，当掺杂参数推荐模型损失函数值小于或等于预设的目标损失值时停止训练。

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