深圳市瑞奇朗科技有限公司曾成获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市瑞奇朗科技有限公司申请的专利一种垂直型发光二极管芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223246989U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421850665.7，技术领域涉及：H10H20/841；该实用新型一种垂直型发光二极管芯片是由曾成设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种垂直型发光二极管芯片，属于二极管芯片技术领域。一种垂直型发光二极管芯片，包括P电极，还包括：P电极的上方从下至上依次堆叠有导电金属、第一DBR层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、介质层；介质层的上方固定连接有N电极，N电极的下方连接有第二DBR层；P型半导体层突出部分的上方设有第三DBR层；P型半导体层和导电金属之间的外侧包裹有P型欧姆接触半导体层；本实用新型通过多个DBR光反射层的漫反射后，能够改变光的出射角度，减少光源的四散、避免电极对光源的遮挡，提高了芯片光源的利用率。
本实用新型一种垂直型发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直型发光二极管芯片，包括P电极1，其特征在于，还包括： 所述P电极1的上方从下至上依次堆叠有导电金属2、第一DBR层4、P型半导体层5、发光层6、N型半导体层7、介质层8； 所述介质层8的上方固定连接有N电极10，所述N电极10的下方连接有第二DBR层9； 所述P型半导体层5突出部分的上方设有第三DBR层12； 所述P型半导体层5和导电金属2之间的外侧包裹有P型欧姆接触半导体层13。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市瑞奇朗科技有限公司，其通讯地址为：518128 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航空路1号恩海大厦8层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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